第八讲--场效应管及其放大电路.pptVIP

利用场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用，可构成场效应管放大电路。 管子工作在恒流区，且也要选择合适的静态工作点。 场效应管的三个电极与晶体三极管的三个电极存在着对应关系 其放大倍数的计算，也采用交流小信号等效电路分析方法。 四、MOSFET放大电路 四、MOSFET放大电路 直流偏置及静态工作点的估算 微变等效模型分析 性能指标分析 1、直流偏置及静态工作点的计算 简单的共源极放大电路（N 沟道） 共源极放大电路 直流通路 假设工作在饱和区，即： 验证是否满足： 如果不满足，则说明假设错误。 须满足VGS VT ，否则工作在截止区。 再假设工作在可变电阻区 即 1、直流偏置及静态工作点的计算 简单的共源极放大电路（N 沟道） 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结果即为所求。 解： 例： 设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?， 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， 举例 饱和区 需要验证是否满足 1、直流偏置及静态工作点的计算 带源极电阻的NMOS共源极放大电路 （1）模型的引出 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当，vgs 2(VGSQ- VT )时， 2、微变等效模型分析 2、微变等效模型分析 场效应管的小信号模型 近似分析时，可认为rds为无穷大。 解：直流分析已求得 s 3、性能指标分析 分析举例 s 3、性能指标分析 分析举例（续） 共漏放大电路 3、性能指标分析 分析举例 3、小信号模型分析法 分析举例（续） 五、 各种放大器件电路性能比较 五、各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG 电压增益： BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 五、 各种放大器件电路性能比较 1. 分类 按导电沟道分 N 沟道 P 沟道 按结构分 绝缘栅型 (MOS) 结型 按特性分 增强型 耗尽型 uGS = 0 时，iD = 0 uGS = 0 时，iD ? 0 增强型 耗尽型 (耗尽型) 总结 2. 特点 栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流 输入电阻高，工艺简单，易集成 由于 FET 无栅极电流，故采用转移特性和 输出特性描述 3. 特性 总结 不同类型 FET 转移特性比较 结型 N 沟道 uGS /V iD /mA O 增强型 耗尽型 MOS 管 (耗尽型) IDSS 开启电压 UGS(th) 夹断电压UGS(off) 总结 P249 5.1.2 P252 5.3.3 5.3.5 Homework 主要内容 MOS场效应管（MOS-FET） 结型场效应管（JFET） 场效应管类型判别及参数 场效应管放大电路 目的与要求 掌握MOS-FET 、 JFET的结构 理解MOS-FET 、 JFET的工作原理 掌握FET类型的判别及与BJT区别 理解场效应管放大电路的组成及应用 重点： FET类型的判别 第8讲 场效应管放大电路 1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 3 FET的类型比较及参数 4 各种放大器件电路性能比较 3 MOSFET放大电路 第8讲 场效应管放大电路 2 结型场效应管（JFET） 耗尽型 增强型 P沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在。 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道。 场效应管的分类 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 一、金属—氧化物—半导体（MOS)场效应管 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor——MOSFET ——以N沟道增强型MOS场效应管为例 结构 工作原理 特性曲线 N沟道耗尽型MOS P沟道 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G B 耗尽层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain S G D B 1、结构 通常衬底与源极接在一起使用。 垂直短画线含义—— 箭头含义—— 剖面图 符号 1、结构 L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 结构 MOSFET又名绝缘栅型场效应管，因其栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔