招标邀请书-全国高校试验室工作研究会.DOC

招 标 邀 请 书 一、招标采购项目编号： JDCG2015-785 二、招标采购项目：吉林大学 高品级立方氮化硼膜的外延生长实验平台 三、项目预算（人民币）：135万元 四、招标采购内容 （一）设备购置明细（名称、数量、详细技术指标、配置及要求） 高品级立方氮化硼膜的外延生长实验平台 1套 1. 技术指标 本装置包括物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）在内的联合真空镀膜系统。其中PVD系统为三室结构的超高真空多功能磁控、双离子束辅助溅射镀膜装置和真空进样室（兼等离子体预处理室）。该套实验平台可用于氮化硼的纳米级单层及多层多功能薄膜、单晶立方氮化硼薄膜的外延生长、氮化硼的工具涂层以及开发各种介质膜、金属膜、合金膜等。 1.1磁控溅射室 1.1.1磁控靶: 四工位转靶，电动控制，其中两个可做铁磁材料，两个做非铁磁材料，两类靶材相对放置，靶材直径为Ф70mm。每个靶材射频(RF)和直流(DC)兼容，射频源为13.56MHz。其中两个靶材需实现共溅射。每个磁控靶须安装挡板。计算机控制。 1.1.2样品台: 六工位样品转盘，计算机控制转台。样品可加热，加热温度要求为：室温～1200 o C。控温精度需小于± 2 ℃。样品均可自转，转速可调(10-30转/分)，各样品均可加负偏压(-300 V)。有效镀膜区内的均匀性在镀200nm时≤±5%（2英寸范围内）。 1.2 离子束溅射室 1.2.1溅射靶: 四工位转靶，每个工位可以安装一个靶材，靶材平面与溅射离子枪呈45o，计算机控制换靶位；转靶需水冷，靶材尺寸不小于70×70mm。 1.2.2离子枪： Kaufman离子枪两套。主离子枪与靶材平面呈45o，离子束直径为5 - 7 cm，能量为1.5 - 3 keV。辅离子枪与样品台平面呈45o，离子束直径为5 - 7 cm，能量为0.5 – 1.5 keV。两个离子枪要求连续工作时间不低于20小时（取决于灯丝寿命）。 1.2.3 样品台。技术要求同磁控溅射室。 1.3 真空进样室 与磁控溅射室相连接，配有磁力送样结构，实现三室的样品传递交接。需内配样品库，可以存放6个样品。同时，配有射频等离子体启辉电离装置，加热样品台(室温～800 oC)，可加脉冲直流负偏压，对样品进行等离子体刻蚀处理和真空退火处理。 1.4 进气气路 在溅射室上有4路质量流量计进气气路，实现对氩气、氧气、氢气和氮气工作气体的进气控制，另外有1路预留气路以备将来设备升级使用。 1.5 真空系统 1.5.1极限真空: 两个主真空溅射室真空≤10-6 Pa；进样室经过烘烤抽气需到≤10-4 Pa。两个主真空腔室需预留法兰接口，以满足将来设备升级要求。 1.5.2 系统抽速: 两个主真空室在充入干燥氮气并短时间暴露大气后开始抽气，40分钟需达≤10-4 Pa。进样室需达≤10-3 Pa. 1.5.3 系统漏率：停泵关机12小时后真空度≤5Pa。 1.6 化学沉积腔室 1.6.1 射频源：电感耦合等离子体射频发生器的频率13.56MHz、功率至少1.5kW。 1.6.2 样品台：沉积室内配有可电脑控制自转的样品台，并可加热从室温～1200 oC，控温精度在±2oC，可加负偏压(～-300 V)。样品台与反应气体匀气盘之间的距离需可调节。可放置≥50mm×50mm方片为基片。 1.6.3 气路系统：可以使用H2 、He 、O2、N2 、Ar、B2H6(稀释于He里，浓度为10%)。除五路质量流量控制器之外，需配有手动浮子流量计，可定期清洗管路和稀释尾排。 1.6.4 真空系统：极限真空≤10-6 Pa，系统漏率≤5.0x10-7 Pa.l/S，从大气开始抽气，40分钟需到≤10-4 Pa，停泵关机12小时后真空度≤5Pa，工作真空度1~1000 Pa。 1.6.5 真空反应室：腔体水冷，高温石英观察窗，预留法兰接口，以备将来升级需用。 2. 配置要求 2.1 涡轮分子泵 4台； 2.2 机械泵 4台； 2.3 罗茨泵 1台； 2.4 闸板阀 5个； 2.5 溅射室 3个； 2.6 进样室 1个； 2.7 kaufman离子枪 2个； 2.8 13.56MHz、500W的射频源 3个 ； 2.9 13.56MHz、1.5kW的射频源 1个； 2.10 1000W直流电源 2个； 2.11 直流偏压源(0-300 V) 2个； 2.12 脉冲直流负偏压源 1个； 2.13 四路质量流量计 3套； 2.14 电动升降装置 2套； 2.15 样品加热温控电源 4套； 2.16 磁力传输杆 2套（进口）； 2.17样品叉 1只（进口）； 2.18 膜厚监控仪 1套； 2.19 样品室内照明3套； 2.20 四路进出冷却水箱1套； 2.21 靶材（贵金属、氮化硼、高纯碳等）、超