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第一章 第一章常用半导体器件 2010年9月 第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内 *（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） *（2）因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. （ ） *（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） #（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） #（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 二、选择正确答案填入空内。 *（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 *（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. *（3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工