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  • 2017-11-09 发布于浙江
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半导体与

第二单元:图形加工技术 (光 刻 Optical Lithography ) (Ch7~Ch11) 问题的提出 Ion Implant in Process Flow Layout and Dimensions of Reticle Patterns 光刻是一种将图形复印和腐蚀相结合的精密表面加工技术 ? 在集成电路生产过程中,在介质和金属膜上复印并刻蚀出与设计的掩膜版完全对应的图形,以实现选择性扩散和金属布线的目的。 光刻是集成电路微图形结构加工的关键工艺技术 集成电路的特征尺寸基本上是由光刻技术决定的,因此通常用特征尺寸来评价生产线的技术水平。 通常用光刻的套刻次数来表示某中集成电路生产工艺的难易程度。 关键技术:套刻(对准)、图形转移(曝光)、刻蚀 图形加工(光刻):包括图形转移(复印)和图形刻蚀 基本要求: 高分辨率(光学仪器、光源和感光膜、刻蚀技术) 高灵敏度(感光膜 ? 光致抗蚀剂) 精密的套刻对准(自动化精密机械) 大尺寸硅片加工(光学仪器、硅片加工精度) 低缺陷(超净、掩膜版的完整) 完美的刻蚀 图形转移技术(光刻技术) You will learn! 光刻的8个基本工艺步骤(工艺流程);要求、方法和检测。 光刻胶的类型和特点 光源和曝光技术的发展趋势 6.1光刻的基本工艺流程: (page 191) Fig. 8.9 Wafer增粘? 涂胶(光致抗蚀剂)

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