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电子技术综合练习题八.DOC

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电子技术综合练习题八

电子技术综合练习题 一、填空题: 1._____价元素形成P型半导体;它主要靠_____导电。 2._____电压变换为_____电压的过程。 3.PN_____时导通;_____时截止。 4._____、_____、_____。 5._____的输入电阻;输出电阻是_____输出电阻。 6._____信号与_____信号之比。 7._____平衡条件和_____平衡条件。 8.RS_____态;当Q=1称触发器处于_____态。 9._____电路和_____电路两在部分组成。 10.n位二进制数,需要_____个触发器。 二、判断题: 1.PN...rbe与静态工作点有关。( ) 5.....P_____;少数载流子是_____。 A.....N_____;少数载流子浓度取决于_____。( ) A......–9VB.–12V C.12V D.9V..IE=IC+IB B.IC=IE+IB C.IB=IC–IE D.IB=IC+IE ..........._____反馈电路。( ) A........... 多谐振荡器的功能是( ) A. 将连续变化的信号变成方波的信号 B. 产生一定频率的正弦波 C. 产生一定频率的方波 D. 将不规则的波形变为正弦波 四、分析与计算题: 1...–2V,Vi2=3V,Vi3=4V,Vi4= –5V,试求V0的值。 图9 4.(1010)2=( )10 (2)(88)10=( )2 (3)(26)8=( )2=( )10 (4)(A2)16=( )2=( )10 5. (2)用卡诺图法化简 6、试用与非门设计一个三变量表决电路(设输入变量为A、B、C,同意为1;输出变量为Y,多数同意通过为1) 7、试分析图10所示电路,构成几进制计数器。要求画出状态表(设触发器初态Q1Q0=00) 图10 电子技术综合练习题八参考答案 一、填空题:1、3,空穴;2、交流电,脉动直流电;3、正偏,反偏;4、发射区掺杂浓度高,集电区面积最大,基区最薄;5、第一级,最后一级;6、反馈,输出;7、相位,振幅;8、0,1;9、门电路,触发器;10、n。 二、判断题:1、×;2、√;3、×;4、√;5、×;6、√;7、×;8、×; 三、选择题: 1、A,B;2、C,B;3、A;4、A;5、D;6、C;7、D;8、C;9、B;10. C 四、分析计算题: 1、(1)Vo=18V;IL=6A。 2、(1)直流通路: (2)静态工作点: VBQ=4V ICQ=2mA IBQ=0.04mA VCEQ=4V (3)交流通路: (4)Av=-50 3、Vo=-1.5V 4、(1)6(2)1011000(3)10110,22(4162。 5、(1)Y1=1 (2) 6、(1)真值表: A B C Y 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 (2)表达式: (3)电路图: 7、(1)状态表: CP Q1 Q0 0 0 0 1 0 1 2 1 0 3 0 0 (2)三进制同步加法计数器 5 图3 V 20K 2K 2K 10K +12V V 10k 20k 2k 2k + - Vi A B C Y

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