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电晶体与无稳态振荡电路259KB
電晶體(Transistor)
簡介
代號為 「Tr 」或「Q 」
主要可分為兩類:
• 雙極性接面電晶體(bipolar
junction transistor, BJT)
• 場效應電晶體(field-effect +5V
0V +5V
transistor, FET)
Metal(金屬線)
Gate
N+ - - - - N+
-
Source Drain
P-基板(0V)
BJT簡介
BJT電晶體很像二極体 ,但比二極體多一個接合面
將二層N型半導体 ,中間夾一層很薄的P型半導体 ,
即成NPN型電晶體 ;
將二層P型半導体 ,中間夾一層很薄的N型半導体 ,
即成PNP型電晶體 。
P N P N P N
BJC構造
將電晶體的三層元件分別連出接線成為電
極 :
•中間稱為基極 (Base, B)
• 兩極分別為射極(Emitter, E)和 集極(Collector, C)
射極 集極 射極 集極
P N P N P N
基極 基極
BJC電路符號
PNP NPN
箭頭 代表電子流的方向 ,射極之箭頭向內的
為PNP型;射極之箭頭向外的為NPN型
BJC運作原理
電晶體要正常工作 ,必須加以適當的電壓,
稱為 「偏壓」
基極與射極間(B-E間)接順向偏壓
集極與基極間(C-B間)接逆向偏壓
射極 集極
P N P
基極
BJC運作原理
電洞從射極(E)進入基極(B),循兩條路徑流動:
•一部分流到基極(B),由於基極(B)雜質濃度低 ,電子數較少,
故流入基極的電流(I )較小
B
•另一部分穿過基極(B)進入集極(C),由於B寬度很薄 ,當電洞
大量注入時 ,會擴散到C接面 ,進而被電場吸引,流至C接腳
射極(E)電流=基極(B)電流+集極(C)電流。(I=I +I)
E B C
射極
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