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- 2017-10-18 发布于浙江
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电沉积原理与
第二章 金属电沉积原理 第二章 金属电沉积原理 金属离子还原的可能性 获得金属镀层的可能性 影响因素 析出电位 与H+/H2 的析出电位的关系 电镀层的质量 表1 金属离子电沉积的可能性 第一节 电镀溶液一、组成 主盐 络合物 导电盐 缓冲剂 阳极活化剂 添加剂(细化晶粒、整平、润湿等) 第一节 电镀溶液二、类型 1、单盐镀液(水合离子) io 小,结晶细致,添加剂可起到整平和光亮作用 io 大,结晶粗糙疏松,必须加入添加剂才可获得结晶细致的镀层 2、铬酸镀液(Cr2O72- 和CrO42- 离子) 第一节 电镀溶液二、类型 3、络合物镀液(络离子) 氰化物镀液 氢氧化物(羟基络合物)镀液 焦磷酸盐镀液 柠檬酸盐镀液 酒石酸盐镀液 (络合剂的游离量) 第一节 电镀溶液二、类型 Zn2+,[Zn(NH3)4]2+,[Zn(CN)4]2- φo(Zn2+/Zn)= -0.763V φo{[Zn(CN)4]2-/Zn}=φo(Zn2+/Zn) -(0.05916/2)?lgK{[Zn(CN)4]2-}= -1.26V φo{[Zn(NH3)4]2+/Zn}= -1.03V 第二节 金属沉积的电极过程一、基本历程 液相传质(电迁移,扩散,对流) 前置转换(配位体转换,配位数、水化数降低) 电子转移(形成吸附原子) 形成晶体(表面扩散到生长点或形成晶核) 第二节 金属沉积的电极过程二、金属离子放电的位置 晶面 棱边 扭结点 缺口 孔穴 第二节 金属沉积的电极过程三、电极反应与极化 1、单盐镀液中金属离子的还原 水化层的重排和水化数的降低 金属离子的还原 进入晶格 第二节 金属沉积的电极过程三、电极反应与极化 2、络盐镀液中金属离子的还原 配位体转换 配位数降低 电子转移 进入晶格 第二节 金属沉积的电极过程三、电极反应与极化 3、阳极的溶解 钝化 自溶解 不溶性阳极 第三节 金属的电结晶 吸附原子到生长点并入晶格,在原有基体金属的晶格上生长 吸附原子相互聚集形成晶核,成为新的生长点 第三节 金属的电结晶一、过电位在电结晶中的意义 1、过饱和度在结晶过程中的作用 结晶的必要条件 影响形核速度和晶核长大的速度 2、过电位在电结晶过程中的作用 平衡电位 过电位 第三节 金属的电结晶二、形核理论 二维平面生长理论 过电位控制晶体生长 第三节 金属的电结晶三、螺旋位错生长理论 表面扩散步骤控制晶体生长 第三节 金属的电结晶四、大电流时晶体的生长 电子转移步骤控制晶体生长 第四节 电镀溶液的分散能力和覆盖能力 Throw power:使镀层在宏观轮廓面上均匀分布的能力 Cover power:使工件的低凹处和孔腔内的表面沉积上镀层的能力 镀层的分布与电流的分布和电流效率的高低两方面因素有关 第四节 电镀溶液的分散能力和覆盖能力一、电流在阴极上的分布 1、初次电流分布(无极化) I1 = V/R1 I2 = V/R2 I1 / I2 = R2 / R1 = L2 /L1 = K 只表示几何因素的影响只适合极化很小的镀液 第四节 电镀溶液的分散能力和覆盖能力一、电流在阴极上的分布 2、二次电流分布(有极化) ∵两个回路的电压相等(V1 = V2) ∴I1R1+(φA-φ1)=I2 R2+(φA –φ2) I1R1–φ1=I2 R2–φ2 即:φ1–φ2=I1R1–I2R2 ∵ R=?L/S; I=DS ∴ φ1–φ2=?D1L1–?D2L2 续 ∵ L2 = L1+ΔL ∴ φ1–φ2 = ?D1L1 – ?D2 L1 – ?D2ΔL 令:–Δφ =φ1–φ2;ΔD = D1 – D2 Δφ= ?D2ΔL – ?L1ΔD Δφ/(?ΔD) = D2ΔL/ΔD – L1 Δφ/(?ΔD) + L1= D2ΔL/(D1 – D2 ) ∴ ∴ 得: 影响电流二次分布的因素: ΔL↓ ?↓ Δφ/ΔD ↑ L1 ↑ 第四节 电镀溶液的分散能力和覆盖能力二、金属镀层在阴极上的分布 电流的消耗去向: 金属电沉积 析出氢气 其他副反应 ∴金属镀层的分布: 电流效率与电流密度的关系有三种: 影响小;更均匀;更不均匀 第四节 电镀溶液的分散能力和覆盖能力三、镀液分散能力的测量 1、远近阴极法(称重法)范围:100% ~ -100% 2、弯曲阴极法(测厚法) 第四节 电镀溶液的分散能力和覆盖能力四、镀液的覆盖能力及测量 析出电位 基体材料的性质析氢过电位增大Pt,Pd,Ni,Fe,Ag,Cu,Zn,Sn,Hg,Cd,Pb 金属析出过电位增大 基体材料的表面状态
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