离子注入与.ppt

5. 沾污 包括重金属沾污和碳沾污，造成漏电和其它缺陷 6. 静电效应 在片上有大面积SiO2等介质时，注入使表面堆积静 电荷，电场将影响结深。 4.7 埋层介质 当在硅中注入大剂量的 O+、N+、C+ 时，可以形成 SiO2、Si3N4、SiC 等薄膜。特别是当用高能量注入时，可以在硅表面以下形成埋层介质。通过高能注入 N+ 形成 Si3N4 的工艺称为 SIMNI ，而通过高能注入 O+ 形成 SiO2 的工艺称为 SIMOX ，后者的应用更为普遍。 这种技术可用于实现器件和电路的隔离。采用此技术制成的埋沟 MOSFET ，其寄生电容及短沟道效应都小得多。 SIMOX 技术的主要问题是金属沾污问题、均匀性问题和成本问题。 SOI 的埋层氧注入 Silicon On Insulater (SOI) 1. 注入元素 O－－SIMOX、N--SIMNI SOI 形成原理 注入的O与Si在高温下合成SiO2埋层，表面在注入过程中始终保持单晶，高温退火使O凝聚，消除埋层中的Si岛和Si中的氧沉淀。 3. 注入条件 剂量： 1.8e18/cm2 ，150~300KeV，400oC 退火温度： 1300－1350oC， 6小时 气氛 Ar+1%O2 理论模