40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互-物理学报.PDF

40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模 王军 王林 王丹丹 Frequency and bias dependent modeling of induced gate noise and cross-correlation noise in 40 nm metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistors WangJun WangLin WangDan-Dan 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,237102(2016) DOI: 10.7498/aps.65.237102 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.237102 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I23 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 一个非晶InGaZnO薄膜晶体管线性区陷阱态的提取方法 A technique for extracting the density of states of the linear region in an amorphous InGaZnO thin film transistor 物理学报.2015,64