第三章场的效应管.pptVIP

3.1.3 EMOS场效应特性 静电保护： 3.2　结型场效应管 JFET 结构示意图及电路符号(动画) S G D S G D P + P + N G S D N 沟道 JFET P 沟道 JFET N + N + P G S D 第 3 章　场效应管 VGS 对沟道宽度的影响(动画) |VGS | ? 阻挡层宽度? 若 |VGS | 继续? 沟道全夹断 使 VGS = VGS (off) 夹断电压 若 VDS = 0 N G S D + VGS P + P + N 型沟道宽度? 沟道电阻 Ron? 第 3 章　场效应管 VDS 很小时 → VGD ? VGS 由图 VGD = VGS - VDS 因此 VDS?→ID 线性 ? 若 VDS ?→则 VGD ?→ 近漏端沟道? → Ron 增大。 此时 Ron ?→ID ? 变慢 VDS 对沟道的控制(假设 VGS 一定) (动画) N G S D + VGS P + P + VDS + - 此时 W 近似不变 即 Ron 不变 第 3 章　场效应管 当 VDS 增加到使 VGD ? = VGS(off) 时 → A 点出现预夹断 若 VDS 继续?→A 点下移 → 出现夹断区 此时 VAS = VAG