精选2 半导体材料的基本性质.pptVIP

2.4.2 电导率 电子的电导率 n是电子浓度， 是电子的迁移率 空穴的电导率 p是电子浓度， 是电子的迁移率 本征半导体的电导率 本征半导体，n＝p N型半导体，np P型半导体，np 2.4.3 霍尔效应 1879年，24岁的美国人霍尔在研究载流导体在磁场中所受力的性质时，发现 “电流通过金属，在磁场作用下产生横向电动势” ，这个效应后来被称为霍尔效应。 霍尔效应是测量半导体材料导电类型、载流子浓度和迁移率等基本性能和霍尔效应器件应用的基础。 霍尔效应示意图 BZ Ix v fB P型半导体薄片：长度为L，宽度为b，厚度为 d 磁场方向 (z方向）与薄片垂直，电流方向为x方向 L b d fE x y z 空穴的运动方向和电流方向一致，沿x轴方向 空穴在运动过程中，受到洛仑兹力fB的作用（左手定则），在y侧面形成正电荷积累，而形成横向的电场Ey。 稳定时，横向电场对空穴的作用力和洛仑兹力相平衡 霍尔系数 P型半导体 N型半导体 2.5 半导体的光学性质 2.5.1 光的基本性质 2.5.2 光与原子的相互作用 2.5.3 半导体的光学性质 2.5.1 光的基本性质 光色 波长(nm) 频率(Hz) 中心波长 (nm) 红 760~622 660 橙 622~5