天大测控电路讲义 总复习.ppt

* * 金属氧化物半导体场效应晶体管简称MOS-FET，又称绝缘栅型场效应晶体管，它与JFET一样都是电压控制型器件。MOS-FET用作开关时开关特性还不如JFET，主要是其导通电阻较大，而且随着控制电压和输入模拟电压的变化而变化。另外在模拟信号相等的情况下，MOS开关的控制电压比JFET的控制电压大。尽管如此，MOS开关的应用还是越来越广，其主要原因是易集成化。可把MOS开关集成在一块小的基片上，这样尺寸小，成本低。另外，MOS管的栅极与漏极之间，栅极与源极之间泄漏电流非常小，这对小信号传递也具有十分重要的意义。 工作在可变电阻区的条件：uDS0, uGS-uT0 即：uc-UTui 栅极G加高电平，uc - UT ui，开关导通，进入可变电阻区，导通电阻随ui的变化而变化。 栅极G加低电平， uc - UT ui，开关截止，进入夹断区，开关截止电阻为1013Ω量级。 * uGN=+E, uGP=-E, 导通 ; uGN=- E, uGP=+ E, 截止 * * * （采用稳压二极管和二极管的比较器输出钳位电路） 可参考稳压二极管的芯片资料 * 当UiUR时， VOUT = 0 (逻辑低电平） ViVR时，VOUT = 1 (逻辑高电平）；由于失调电压的存在，在精密的比较中必须补偿输入失调电压；比如若VOS 在同向输入端为正，若阈值为VR，则比较器输入参考电平应为VR-VOS; VR=0时，称为过零比较器，又称鉴零器。 * ViVR, VOUT = “0”, VIVR, VOUT = “1”. 对于缓慢变化的信号（信号频率变化太快，可能比较器来不及翻转），当其接近于门限电平时，叠加在它们上的干扰信号UN会使比较器产生误翻转，这就是所谓的电平比较器的“振铃”现象。 * * 测微小电流时，要取较大的Rf，但是大阻值的电阻精度差且输出端的噪声也大。实际中，采用T型电阻网络代替大阻值电阻。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 调频信号的抗干扰能力比调幅和调相强很多，但是它要占用较宽频带。 * * * 工件表面的微观不平度使反射光产生漫反射，根据镜面反射方向和其他方向接受的光能之比可以测定表面粗糙度。 光栏6和光电元件一起转动，接受各个方向的反射光 * * * * * 注意：调宽仅仅改变脉冲的宽度，但脉冲的周期不变。 * （和RC多谐振荡器的脉冲调频电路有何区别？） * 若ux增大，则u＋’ 和u＋’’ 也都增大，则充电时间t1增大，放电时间t2减小，即T不变（充、放电的时间常数τ相同，曲线斜率相同），而占空比随ux增大而增大。 * 重点了解滤波器功用，滤波器性能指标及有源滤波器的设计 * 对于低通和高通： f0＝fc * 2，实际滤波器的基本参数 (1)波纹幅度d 帽频特性顶部上．下波动量的平均值为A0，滤波器顶部上(或下j幅值波动量称为波纹幅度d，它与幅频特性的平均值A0相比，越小越好。一般应远小于—3dB，即d《 A0 / 根号2。 (2)截止频率f 幅颤特性的平均值为A0,衰减一3dB所对应的频率称为滤波器的截止频率。若以信号的幅值的平方表示信号功率，则所对应的点恰好是半功率点（所谓半功率点是指输出信号的功率衰减为输入信号功率的一半）。图中fc2和fc1为实际滤波器的上下截止频率。 (3）品质因数Q Q是中心频率fc0与带宽B-3dB之比。在中心频率一定时，Q值越高．滤波器的分辨力越好。 (4）选择性 选择性是指滤波器对带宽外信号的衰减特性，是衡量滤波器质量优劣的一个重要指标。带宽外信号衰减得越厉害(从图上看，也就是带宽外曲线越陡)，说明摅波器的选择性越好．该指标常用倍频程选择性或滤波器因子λ来表示。 ②滤波器因子λ 。 滤波器因子λ是指幅频特性为一60dB时的带宽与一3dB时的带宽之比，理想滤波器的λ ＝l，一般滤波器的λ ＝1一5，显然λ越小越好。 * * * * * * 对于单位阶跃响应，贝塞尔失真较小，切比雪夫的失真较大。 * LC无源滤波器：具有良好的频率选择性，损耗小，但电感体积大，不利于集成化和便携化。因而在测控系统中用的较少。 RC无源滤波器：体积小，便于集成化，但损耗大。通常用于要求不高的场合。 RC有源滤波器：损耗小，体积小，性能好，便于集成。是目前测控系统中主要的滤波器应用形式。 * * * * 滤波器的设计：公式法、图表法、计算机辅助设计法等。 * * 实际中，可能要经过多次的修改才能找到最佳参数。 在有源滤波器的设计中，阶次的选择、传函及电路元件值的确定，计算都比较复杂繁琐。 可以借助计算机辅助设计来完成，并可通过MATLAB仿真来验证其参数的最佳性，使设计