CdSiP2晶体退火及对红外光学性能的影响.PDF

第45 卷 第10 期 稀有金属材料与工程 Vol.45, No. 10 2016 年 10 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING October 2016 CdSiP2 晶体退火及对红外光学性能的影响 林 莉，赵北君，朱世富，何知宇，陈宝军，孙 宁，黄 巍，杨登辉,钟义凯，朱 璞 ( 四川大学，四川 成都 610064) 摘 要：采用改进的布里奇曼法生长出CdSiP2 单晶体，运用X 射线能谱仪、傅里叶变换红外分光光度计以及红外显微 镜等对在不同气氛中退火前后的 CdSiP2 晶体进行了组分元素、红外吸收系数以及红外透过均匀性测试，根据红外显微 镜Mapping 图像的标准差值评判了晶体的红外透过均匀性。研究结果表明，经真空、CdSiP2 粉末包裹、P/Cd ( 原子比为 2:1) 、Cd 气氛等退火后，晶体组分元素的化学计量比、红外吸收系数和红外光学均匀性都得到了不同程度的改善，其 中在1.29~2.00 μm ，经CdSiP2 粉末包裹退火后的晶体吸收系数改善显著，在 1.92~ 1.98 μm 波段的红外透过均匀性提高 了14.06%；而在Cd 气氛下退火后晶体的吸收系数在2.00~6.50 μm 波段降低最为明显，在2.70~2.78 μm 波段红外透过 均匀性提高了 17.43%。分析讨论了在上述波段中引起晶体红外吸收和红外透过不均匀性的主要因素，研究出较为有效 的CdSiP2 晶体退火工艺。 关键词：CdSiP2 晶体；退火热处理；红外吸收系数；红外透射Mapping 图像；红外透过均匀性 + 中图法分类号：O77 1 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(2016)10-2723-06 [9,10] II-IV-VI2 族三元化合物 CdSiP2 晶体属黄铜矿结 光 。近年来，国内四川大学和山东大学相继采用 构， d 空间群。它不仅具有红外透过范围宽(0.5~9 垂直布里奇曼法生长得到CdSiP 晶体[11, 12] ，并对其热 142 2 μm) 、非线性光学系数大(d36 =84.5 pm/V) 、双折射适宜 学性质进行了测试。尽管CdSiP2 晶体生长和器件的制 (n －n = -0.05) [1] 、热导率高(13.6 W/m∙K) 、抗光损伤 备取得了长足的进步，但由于生长过程中极高的离解 o e [2] 6 阈值高等优异的性质 ，还能采用目前已广泛使用的 压(约为2.2×10 Pa)和强烈的各向异性热膨胀特性，使 1.06 μm (Nd:YAG)和 1.55 μm (掺Er 光纤激光)泵浦， 得大尺寸高质量的晶体获得仍然十分困难。由于缺乏 输出6.0 μm 以上的可调谐激光，因而被认为是一种很 块状晶体，制约了人们对 CdSiP2 晶体性质的深入研 有希望的中红外高功率激光频率转换新材料，在红外 究，迄今为止，还未见有CdSiP2 晶体退火前后红外透 对抗、红外跟踪、大气监测和激光医学等军事、民用 过均匀性的相关研究报道。 [3-5]