In2o3晶体电子结构和光吸收机理研究木-evcarexpocom.PDF

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．64，No．19(2015) 193101 In2o3晶体电子结构和光吸收机理研究木 刘检 刘延禹十 李海心 刘凤明 (上海理工大学理学院，上海 200093) (2015年4月26日收到；2015年6月 1日收到修改稿 ) 为了得到准确的In203晶体 电子结构，本文分别采用GGA，GGA+U，HSE06的方法计算了电子结构，并 进行了G0 修正，通过 比较计算结果，得到HSE06+GoWo方法计算得到的禁带宽带最接近实验结果．在此 基础上使用Hedin的G0 近似方法和Bethe-Salpeter方程计算得到了In203晶体的光学性质，计算结果与 实验结果吻合很好，在此基础上通过对准粒子能带结构、光学跃迁矩阵和光学吸收谱的分析，给出了InO3晶 体的光学跃迁机理． 关键词：Go —BSE近似，准粒子能带结构，光学性质，吸收机理 PACS：31．10．+z，31．15．-p DOI：10．7498／aps．64．193101 关系OL2。(hu- 来决定材料的光学带隙．Weiher 1 引 言 等 [13]由此得出In2O3的直接带隙为3．75eV．然而， Gordon等课题组 同时考虑间接允许跃迁、直接允 方铁锰矿结构的三氧化二铟 (In2O3)是重要的 许跃迁和直接禁戒跃迁对光吸收的贡献 [1,14,15】，表 n型宽禁带透明导电氧化物，具有 良好的电导率和 明声子对这些吸收机理有重要的作用，并使用更精 透光率，以及高红外反射率等特性 【，，In2O3可应 确的表达式 (hua)[]o(hu一 [9--12,16]来描述吸收 用于发光二极管fLED)，太阳能电池，平板显示器 系数和光子能量的关系，得到了更加合理的光学带 (FDPs)和透 明导 电薄膜等 [33]．因此，In2o3晶体的 隙结果． 优异光 电特性引起了科学工作者的广泛关注． 近年，Erhart[17】对In203的跃迁和能带结构 透 明一般意味着该材料带隙比较大，而导 电表 进行了理论上的研究，认为 到n跃迁导致强吸 明该材料的带隙比较小或者没有带隙，所以，材料 的导电性与透明性通常是相互制约的，高透明性材 收．但是此研究是基于密度泛函理论，而众所周 知，密度泛函理论严重低估带隙 [18,19】．Erhart【] 料往往 电导率低，反之高导电性材料不透明．然而， In2O3却是透明导电氧化物，掺杂Sn4【，引，Ti6【】或 和King[2o】等课题组使用HSE修正了带隙，计算得 者Gd【】后，导电性可 以进一步提高．In203这种既 到带隙为2．93eV，但计算结果都依 旧和实验值相 透明又导电的特性的物理机理引起科学工作者的 差较大．此外，Erhart和King也计算In2O3晶体的 浓厚兴趣． 光学性质，但没有考虑激子效应，计算结果的可靠 透 明和导 电都与带隙有关，因此，国内外对 性也很难保证． In2O3的带隙进行了大量的理论