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全新氪气87K方法直接测量薄膜材料的孔径分布介绍介孔二氧化硅
全新氪气（87K）方法直接测量薄膜材料的孔径分布
介绍
介孔二氧化硅薄膜（通常指厚度在300 到900纳米的薄膜材料）在传感器、低介电薄
图 1(a).?两种不同厚度二氧化硅介孔薄膜的氪气（87K）吸附等温线， A (厚度300纳米) ，B (400纳米)
图1(b).?图一(a)中两个材料的孔径分布计算结果
图2.?氪气（87K）等温线对数图，由此可以看到该实验有效相对压力从10-5直至氪气本体饱和蒸汽压（升华），也证明了该方法在微孔区段的应用。
该方法已证明不仅对于二氧化硅类的介孔薄膜材料适用，同时对表面氧化性的介孔材料均适用。
参考文献
[1] Oku Y., Nishyama N., Tanaka S., Ueyama K., Hata N. and Kikkawa T. (2002) Mat. Res. Soc Symp. Proc. 716, 587.
[2] Bauer B.J. and Hedden C.R. (2003) Pore size distributions in low-k dielectric thin films from SANS porosimetry, Tech. Highlights in NanoTech.. NIST.
[3] Rouquerol J., Avnir D., Fairbridge C.W., Everett D.H., Haynes J.H., Pernicone N., Ramsay J.D.F., Sing K.S.W. and Unger K.K., (1994) Pure Appl. Chem. 66, 1739.
[4] Thommes M. in Nanoporous Materials Science and Engineering (edited by Max Lu and X. S. Zhao), World Scientific, 2004, chapter 11, 317- 364.
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