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1一种新结构IG得BT内透明集电区IGBT

维普资讯 电‘力电子’2007年2期 器件与模块 DeviceMOduIe 一 种新结构 ]GBT一内透明集电区IGBT ANew StructureofIGBT 北京工业大学 功率半导体器件与功率 IC研究室 李 震 胡冬青 亢宝位 摘 要 :本文对一种新的IGBT结构—— “内透明集电区IGBT”(ITC~IGBT)进行了仿真研究。这种新结构的 特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型集电区中距集电结很近的位置设置了一个具有极高过剩载流 子复合速率的内部高复合层,同时适当降低高复合层以上P区掺杂浓度。仿真结果表明,无论是穿通型结 构 (有缓冲层)还是非穿通型结构 (无缓冲层)的ITC—IGBT,在器件工作电流范围内都具有饱和电压 正温度系数,解决了现有的用外延片制造的PT—IGBT所难 以克服的饱和电压负温度系数的缺点,有利于 IGBT的并联使用。对于l200V以下的IGBT,该新结构开辟了一种可以避免超薄片操作的简单的制造 良好 温度性能器件的途径。 关键词:IGBT PT-IGBT NPT-IGBT Abstract:Simulationshavebeencarriedoutforanew structureofinsulatedgatebipolartransistor(IGBT)-- InternallyTransparentCollector(ITC)IGBT.ComparingwithconventionalPT —IGBT fabricatde by epitaxialwafer,thenew stur cture ischaracterizedby implantingaP collcetorlayerbetween theP+ substrate and the N base and a locallifetimecontrollayerneartheinterfaceofP+ substrate and P collectorlayer .The electr0n—h0lerecombination velocity in the locallifetime controllayerisvery high SO thatthe electronsfrom N baes rceombine almostfully with holesfrom P+ substrate.The simulation resultshaveshown thatthetemperaturecoefficientofthe saturation voltageofITC-IGBT, eitherpunch-through (withbufferlayer)ornon—punch—through (withoutbufferlayer),isposi~ve.It overcomes the drawback oftheconventionalepitaxial PT—IGBT.ofwhich thetemperaturecoefficient isnegative.Thepositivetemperature coefficientofsaturation voltage ishelpfulfordevicesparallel connection.Thenew structure hewsoutanew path to fabricate IGBT with good temperature pe rformancewithoutultr.a— thin warerope ration. Key words:IGBT PT-IGBT NPT-IGBT l 引言 动等功率变换和控制领域。 自八十年代初 问世 以来 ,绝缘栅双极 晶体 管

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