2007 - 多晶硅太阳电池酸腐接表面织构的研究.pdfVIP

兴 电 子 ·激 兴 第 18卷 第 3期 2007年 3月 Journalofoptoelectronics·Laser Vo1．18No．3 Mar．2007 多晶硅太阳电池酸腐表面织构的研究 王立建，刘彩池一 ，孙海知，郝秋艳 (河北工业大学信息功能材料研究所，天津 300130) 摘要 ：采用酸腐多晶 si片的方法 ，获得 了各 向同性的表面织构。酸腐蚀液选取 HF—HN03 混合溶液 ，并用 H3PO4进行改 良。分别利用扫描电镜 (SEM)和光谱响应系统，分析了腐蚀后多晶si片的表面形貌和反射率。 结果表明，酸腐多晶Si表面分布均匀 的蚯蚓状腐蚀坑 ，反射率很低，在等离子增强化学气相沉积 (PECVD) 减反射膜后 ，反射率大大下降。 关键词 ：表面织构；多晶Si；太阳电池 中图分类号 ：TN366 文献标识码：A 文章编号 ：1005—0086(2007)03—028903 Texturing ofMulticrystallineSiliconWafersforSolarCellswithAcidicEtchingSolu- tions WANG Li-jian，LIUCai-chi ，SUNHai-zhi，HAOQiu-yan (InformationandFunctionMaterialInstitute，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin300130，China) Al~tract：Multicrystallinesilicon(mc~Si)waferswereisotropicallytexturedusingacidtexturingmethods．Theacidetching solutionwasanaqueoussolutionofnitricacid(HN03)andhydrofluoricacid(HF)fortheinvestigationofthewetchemical approach。anditwasmodifidewithHaP03 ．Themc~Sisurfacemorphologyandreflectancewerenaalyzedbyscanning dce— tronmicroscope(SEM)andspectrum responsesystem respectively．Resultsshowde thatthesurfaceetchde bytheacidoslu— tionwasdistributedwithuniformearthworm-likeetchepits，andithadaverylOW reflcetance．After ．C、，D N4there— flcetnacedcereasde remarkably． Keyworb【：surfacetexturing；multicrystallinesilicon(mc~Si)；solarcell cm，厚度为 340x／m，面积为 125mmX125Film。采用扫描 电镜 1 引 言 (SEM)观察表面织构的形貌 ，利用光谱响应系统检测其反 为了提高太阳电池的转换效率，降低表面的光反射 ，增加 射率。 光的有效吸收是十分必要的。单晶si太阳电池的表面通过碱 2．1 酸腐表面织构 溶液在(100)晶向的各向异性腐蚀可以形成随机分布的金字塔 采用 HF(40 )、HNOa(65 )、HsPO4(85 )和 由去离子 结构，增加了光吸收[1l。由于多晶si有很多晶粒构成，而且晶 水稀释的混合酸腐蚀液来获得各向同性的表面织构，腐蚀液的 粒的方向随机分布，利用