LaCeNd掺杂对单层MoS2电子结构的影响-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 6 (2014) 067301 La, Ce, Nd掺杂对单层MoS 电子结构的影响 雷天民 吴胜宝 张玉明 郭辉 陈德林 张志勇 1)(西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院, 西安 710071) 2)(西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071) 3)(西北大学信息科学与技术学院, 西安 710069) ( 2013 年12 月2 日收到; 2014 年1 月13 日收到修改稿) 为了研究稀土掺杂对单层MoS 电子结构的影响, 文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理, 采用平 面波赝势方法分别计算了本征及La, Ce, Nd 掺杂单层MoS 的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度. 计算发现, 稀土掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径大小有关, La 杂质附近的键长变化最大, Nd 杂 质附近的键长变化最小. 能带结构分析表明, La 掺杂可以在MoS 的禁带中引入3 个能级, Ce 掺杂可以形成 6 个新能级, Nd 掺杂可以形成4 个能级, 并对杂质能级属性进行了初步分析. 差分电荷密度分布显示, 稀土掺 杂可以使单层MoS 中的电子分布发生改变, 尤其是f 电子的存在会使差分电荷密度呈现出反差极大的物理 图象. 关键词: 第一性原理, 二硫化钼, 稀土掺杂, 电子结构 PACS: 73.22.–f, 71.15.Mb, 74.70.Xa DOI: 10.7498/aps.63.067301 件9−11 . 因此, 国际上已有多个研究小组采 1 引 言 12 1314 用微机械剥离 、液相剥离 和化学气相沉 积15 等方法进行了单层MoS 制备和器件应用 随着半导体理论和器件制作工艺技术的不断 研究. 研究表明, 单层MoS 晶体管室温下的载 进步, 硅基器件和集成电路的性能愈来愈接近由其 − − 流子迁移率为200 cm V s , 电流开关比达到 材料特性所决定的理论极限, 微电子技术的可持续 16−19 , 并且具有超低的待机功耗 , 基于 发展迫切需要寻找能替代Si 的新型材料. 与此同 20 21 MoS 光电探测器 以及异质结构 研究都说 时, 石墨烯因其具有独特二维结构和优良电子学特 明MoS 具有优良的光电特性, 在微电子及光电子 性广受研究者的青睐, 成为近十年来全球相