模拟电子技术5 场效管2 MOSFET.ppt

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2017-10-29 发布于上海
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模拟电子技术5 场效管2 MOSFET

* 2.2.1 金属氧化物半导体场效管(MOSFET) 1. 耗尽型金属氧化物半导体场效管(DMOSFET) 2. 增强型金属氧化物半导体场效管(EMOSFET) 3. 场效管的两参数线性数学模型 2.2.2 BJT与各种FET的综合对比 1. 不同种类FET的综合对比 2. FET与BJT的综合对比第2章场效管(2) 2.2 金属氧化物半导体场效管(金氧半MOSFET) 总第五次课作业:2.6 JFET与MOSFET的比较 ① JFET比MOSFET的噪声系数更低。 ② JFET比MOSFET的输入电容小,JFET的输入电容为几到几十pF，而MOSFET的输入电容为几百pF，因此JFET工作频率上限比MOSFET更高。 ③ JFET比MOSFET的线性更好。 JFET在BJT和FET中的线性是最好的。 ④ MOSFET比JFET的输入电阻更高。 *