IC工艺_10_2-2.pptVIP

* 1、 2、埋层——隔离墙——P扩区——N扩区——引线孔——金属连线——钝化窗口 3、PN结隔离、介质隔离、PN结介质混合隔离 4、欧姆接触电极，在外延层电极引出处增加浓扩散 5、减小串联电阻、减小寄生PNP晶体管的影响 1、做N阱——场区氧化——做硅栅——P型注入——N型注入——接触孔——金属1——通孔——金属2——PAD 掩N阱——有源区——硅栅——P型注入——N型注入——接触孔——金属1——通孔——金属2——PAD。 2、作用：提高场区阈值电压、减缓表面台阶、减小表面漏电流。 3、作用：在硅栅形成后，利用硅栅的遮蔽作用来形成MOS管的沟道区，使MOS管的沟道尺寸更精确，寄生电容更小。 4、为做P型MOS管提供衬底。 5、利用硅栅自对准，进行N型或P型扩散形成的。 * * 1)　CVD淀积一层厚约1000A的氧化硅； 2)　用离子溅射刻蚀掉大部分氧化硅，当多晶硅露出来后停止反刻。 * * 1 * 1 * 1 * 1 * * * * * * 钛是做金属接触的理想材料，也是可行的选择。 钛的电阻很低，同时能够与硅发生充分反应，生成钛的硅化物； 2) 钛和氧化硅