关于电荷泵技术的MOS器件界面特性测量方法.pdf

半导体检测与测试技术 Semiconductor Inspection＆Testing Technologies DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．03．016 基于电荷泵技术的MOS器件界面特性测量方法 胡伟佳1’2，孔学东2，章晓文2 (1．广东工业大学材料与能源学院，广州510006；2．工业和信息化部电子第五研究所，广州510610) 摘要：随着CMOS工艺的发展，栅介质层厚度不断减薄，导致栅漏电流不断增大，这使传统 测量界面态的方法应用受到限制。介绍了采用电荷泵技术用于MOS器件Si／SiO，界面特性研究， 分别研究了脉冲频率、反偏置电压、脉冲幅值和占空比对泵电流的影响，对突变曲线做了深入的 理论分析，指出了需要严格的选择脉冲频率、幅值、反偏置电压和占空比，才能保证测量的准确 性。这些探索为电荷泵技术在MOS器件中的界面电荷测量和电荷泵曲线分析提供实验指导和理 论依据。 关键词：电荷泵技术；脉冲频率；反偏压；脉冲幅值；占空比 ． 中图分类号：TN386．1文献标识码：A MeasurementMethodsofInterface Basedon Property Charge inMOSDevices PumpingTechniques Hu Xiaowen2 Weijial一，KongXuedong2，Zhang Materialsand 5 (1．Facultyof Energy，GuangdongUniversityof 10006，China； Technology，Guangzhou 2．The5“Electronic ResearchInstitute and ofthe MinistryofIndustryInformationTechnology，Guangzhou510610，China) thicknessofthe Abstract：The oxideis scaleddownwiththe ofCMOS gate continually development wouldresultin the current technologies，which enhancinggateleakage conventionalmethodscouldnotbesuitablefor interface inultra-thinoxide characterizingproperty gate MOSFET’s．The methodswereintroducedtocharacterizethe interface charge