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半导体的霍尔效应 霍尔系数及霍尔迁移率 x方向施加电场Ex，电流密度为Jx, z方向施加磁场Bz y方向产生的电场Ey为： RH称为霍尔系数，单位为：m3C-1 霍尔角（q）：总电场E与电流方向的夹角 mH为霍尔系数 半导体的磁阻效应 半导体的磁阻效应及其物理机制 磁阻效应：在垂直于电流方向上施加磁场，沿外加电场方向的电流密度有所降低，即表观电阻增大，称此效应为磁阻效应 物理机制 锗、硅半导体 Ge、Si的物理性质 锗、硅半导体 Ge、Si的晶体结构 锗、硅半导体 Ge、Si的能带结构 锗、硅半导体 Ge、Si单晶中的杂质 Ⅲ、Ⅳ族杂质：受主或施主 其它杂质：复合中心或陷井，对导电性影响不大 Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体 Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体的一般性质 Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体的晶体结构 Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体 Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体的化学键和极性 Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体 锗、硅半导体 Ge、Si单晶中的缺陷 位错：一方面，吸引其周围点缺陷，增加少子寿命 一方面，晶格畸变增大，使载流子复合，少子寿命减小 刃位错：悬挂键，受主能级 GaAs半导体的能带结构 Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体 InSb半导体的能带结构 Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体 GaP半导体的能带结构 Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体 GaAs中的杂质和缺陷 Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体 施主： Se, S, Te取代As 受主：Zn,Be,Mg,C