具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体.PDFVIP

具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 赵逸涵 段宝兴 袁嵩 吕建梅 杨银堂 Novellateraldouble-diffusedMOSFETwithverticalassisted deplete-substrate layer ZhaoYi-Han DuanBao-Xing YuanSong LüJian-Mei YangYin-Tang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,077302(2017) DOI: 10.7498/aps.66.077302 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.077302 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I7 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 1kΩ 量子霍尔阵列电阻标准器件研制 A1kΩ standardresistordevicebasedonquantumHallarray 物理学报.2016,65(22): 227301 /10.7498/aps.65.227301 利用p-n 结反向I-V特性计算p-GaN载流子浓度的方法 A new method to estimate the p-GaN