半导体物理第一章3.docVIP

§1-4 典型半导体的能带结构 一、能带结构的基本表征内容 所谓能带结构，就是指布里渊区的具体E(k)关系，其主要内容包括 导带极小值和价带极大值的位置，特别是导带底与价带顶的相对位置与能量差； 极值附近电子或空穴的等能面形状，有效质量（E(k)曲线斜率）的大小； 极值能量的简并状态 禁带宽度随温度的变化规律 二、三维晶体的布里渊区 为了描述实际半导体的E(k)关系（即能带结构），需要首先熟习三维晶格的布里渊区，因为实际晶体的能带结构一般都是各向异性的 图1—11 面心立方晶格和金刚石结构的第一布里渊区 在标识半导体能带结构时常用到第一布里渊区中的一些特殊倒格点，它们是： Γ：布里渊区中心； L：布里渊区边沿与（111）轴的交点； X：布里渊区边沿与（100）轴的交点； Κ：布里渊区边沿与（110）轴的交点。 所有金刚石型结构和闪锌矿型结构皆与面心立方晶体的固体物理原胞相同，因而有相同的基矢，所以有相同的例格子和布里渊区，其第—布里渊区如图l—11所示 硅和锗的能带结构 1、导带结构 硅的导带底在布里渊区沿6个100方向的边界附近，从布里渊区中心到边界0.85长度处，其电子等能面是以该方向晶轴为旋转对称轴的长形椭球，共六个。 根据实验数据得出硅中电子的有效质量为ml=(0.98(0.04)m0 ; mt=(0.19(0.02)m0。 锗的导带极小值位于8个111方向的简约布里渊区边界上，即L点。极值附近等能面为沿111晶轴旋转的八个旋转椭球面，每个椭球面有半个在简略布里渊区内，因此，在简约布里渊区内共有四个椭球。实验测得锗中电子的有效质量为ml=(1.64(0.03)m0 ; mt=(0.0819(0.0003)m0 2、价带结构 理论计算及对p型样品的实验结果指出，硅和锗的价带结构十分复杂。作为一般性的了解，只需记住：硅和锗的价带顶都位于布里渊区的中心，有两条能带在k=0处简并。两条E(k)曲线在这里的曲率不相等，表明有两种有效质量不同的空穴，即重空穴 (mp)h 和轻空穴 (mp)l。价带附近的等能面虽然以布里渊区的中心为中心，但并非球对称，而呈瘪球形，且重空穴的等能面比轻空穴扭曲更严重，有较强的各向异性。 硅的轻重空穴的有效质量分别是 0.16m0 和 0.53m0； 锗的轻重空穴的有效质量分别是 0.044m0 和 0.36m0，差异较大。 3、硅、锗能带结构的基本特征 导带底和价带顶k值不同，为间接禁带。 硅的禁带宽度由接近 X 点的导带最小值与价带顶的能量差决定；而锗的禁带宽度由L点的导带最小值与其价带顶的能量差决定。 图1—26 硅和锗的能带结构 4、禁带宽度 硅和锗的禁带宽度Eg在T＝0K时，分别趋近于1.17eV和0.74eV；随着温度升高，Eg变窄，其室温值分别为1.12eV和0.66eV。跟其他半导体一样，Si和Ge的Eg随温度变化的规律也可表示为 式中Eg (T)和Eg (0)分别表示温度为T和0K时的禁带宽度。温度系数α和β多分别为 硅： α＝4.73×10-4 eV/K，β＝636K 锗： α＝4.774×l0-4 eV/K，β＝235K 2、砷化镓的能带结构 砷化镓导带极小值位于布里渊区中心Γ处，等能面是球面，导带底电子有效质量为0.067 m0。在[1 1 1]和[1 0 0]方向的布里渊区边界L和X处还各有一个极小值，电子有效质量分别为0.55m0和0.85m0，比Γ能谷电子有效质量大很多。室温下，L和X能谷与Γ能谷与价带顶的能量差分别为约0.29 eV和0．48 eV。如图1—27所示。 砷化镓的价带也有轻重空穴带之分，重空穴带极大值也稍许偏离布里渊区中心。重空穴的有效质量为0.45 m0，轻空穴有效质量为0.082 m0。 室温下禁带宽度为1.424 eV。禁带宽度随温度也是按式(1—66)的规律变化，参数Eg (0)为1.519 eV。α为5.405×104 eV/K，β为204K。 3、磷化镓和磷化铟的能带结构 磷化镓和磷化铟的价带极大值也都位于k=0处。 磷化镓导带极小值在[10 0]方向，电子有效质量为0.35 m0；重空穴和轻空穴有效质量分别为0.86 m0和0.14 m0，室温下禁带宽度为2.26 eV，d Eg /dT＝－5.4×10-4eV/K。 磷化铟导带极小值位于k=0，电子有效质量为0.077 m0，重空穴和轻空穴的有效质量分别为0.8 m0和0.12 m0，室温下禁带宽度为1.34 eV，d Eg /dT =－2.9×10-4eV/K。 4、锑化铟的能带结构 锑化铟的导带极小值位于k=0处，极小值附近的等能面为球形。但是，极小值处E（k)曲线的曲率很大，因而导带底电子有效质量很小，室温下mn*＝0.0135 m0。随着能量的增加，曲率迅速下降，因而能带