2.3 硅晶体中位错的检测.pptVIP

典型的缺陷及及其显示方法 晶体硅中的典型缺陷:位错、层错、微缺陷漩涡花纹、杂质析出，夹杂、杂质沉淀。 随着生产技术的改进，一些宏观缺陷可以得到消除，如杂质析出、夹杂等缺陷。本节侧重学习位错两种常见缺陷的检测：位错与漩涡微缺陷。;显示方法： 原生硅中的位错用化学腐蚀法使其显露选定某一截面，位错线与它相交，在化学腐蚀时，每个位错露头的地方都会产生腐蚀坑，然后在金相显微镜下观察。 如图所示为各种位错的显示:;（111）晶面 （110）晶面 （100）晶面 ;工艺过程： 一、硅单晶(111)晶面上位错的显示 1、样品切割和研磨：观察面偏离（111）面不大于5°。再用金刚砂细磨其表面 。 2、抛光腐蚀：去除研磨损伤层 。采用HF:HNO3=1:(3～5)的抛光液，时间在2-4min内 3、缺陷腐蚀：用希尔腐蚀液,腐蚀时间在10-15min。 HF:33%的CrO3水溶液=1:1 其电化学反应： ;负极： 正极：;二、硅单晶(100)和（110）晶面上位错的显示 1、（110）晶面上位错的显示工艺跟（111）相同。显示的位错坑呈菱形。 2、（100）晶面腐蚀液的配比为HF:33%的CrO3水溶液=1:2 3 、（100）晶面腐蚀时间比较长。缺陷显示的时间长短主要取决于