半导体器件---电子技术.ppt

（3）集电区收集从发射区扩散过来得自由电子 集电结反偏，内部电场加强，促进少数载流子的漂移运动，从发射区扩散到基区的自由电子在集电结电场的作用下漂移到集电区，形成电流 ICE ； ICE IC ICBO （4）集电结的反向饱和电流 IC≈ICE 内电场加强，漂移运动加强，少数载流子得运动，形成电流 ICBO ，数值很小，但受温度影响很大。 EB RB RC EC 3、晶体管内电流的分配关系 IC = ICE+ICBO ? ICE IB = IBE- ICBO ? IBE :称为共发射极直流电流放大倍数 IC = ICE+ICBO IB = IBE- ICBO 当基极开路（IB=0）时，集电极电流为： ICEO称为集电极与发射极间的反向饱和电流，也称为集电极发射极间的穿透电流。 通常ICEO很小，所以 上式表明，晶体管的集电极电流IC受控于其基极电流IB，用较小的基极电流可以控制较大的集电极电流，这就是晶体管的电流放大作用。 4、晶体管的放大作用 （1）输出电流变化量△IC比输入电流变化量△IB大 倍，可得到电流放大； （2）输出信号电压 ，可得到电压放大； （3）输出信号功率大于输入功率 第四节 晶 体 管 三、 特性曲线 晶体管特性曲线是表示晶体管各极间电压与电流之间的关系曲线，最常用的是共发射极接法时的输入、输出特性曲线。这些特性曲线可用晶体管特性图示仪直观地显示出来，也可以通过实验电路进行测绘。 1、输入特性曲线 输入特性是指当晶体管集电极与发射极电压UCE保持不变时，基极电流IB与基射极之间电压UBE的关系。 0.4 0.2 80 40 0.8 0.6 20 60 UCE=0V UCE1V UBE/V IB/μA （1）当UCE =0 时，相当于两个PN结并联，此时的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似； （2）当UCE0 时，输入特性曲线将向右移，即在UBE一定时，IB将随着UCE的增大而减小。 （3）当UCE≥1V时，输入特性曲线重合. （4）存在一段死区 当发射结电压大于死区电压时，才会有电流iB。 输入特性曲线 第一章 半导体器件 第一节 半导体基本知识 第二节 二极管 第三节 特殊二极管 第四节 晶体管 一、理解PN结的单向导电性，晶体管的电流 分配和电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和晶体管的基本构 造、工作原理和特性曲线，理解主要参数 的意义； 三、会分析含有二极管的电路。 本 章 要 求 第一节 半导体基本知识 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 一、本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 1、本征半导体的晶体结构 晶体中原子的排列方式 Si Si Si Si Si Si 硅单晶中的共价健结构 Si Si Si Si Si Si 共价键：相邻两个原子共用一对最外层电子（价电子）的组合称为共价键。 自由电子：共价键中的电子获得一定能量（温度升高或受光照）后，挣脱共价键的束缚（本征激发），形成自由电子。 空穴：电子挣脱共价键的束缚形成自由电子后，共价键中留下一个空位，称为空穴。空穴带正电。 一、本征半导体 第一节 半导体基本知识 2、本征半导体中的两种载流子 电子 载流子 空穴 本征半导体中的电流 电子电流 空穴电流 外电场作用 3、本征半导体中载流子的浓度 （1）自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 （2）本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； （3）温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 一、本征半导体 第一节 半导体基本知识 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 一、本征半导体 第一节 半导体基本知识 二、P型半导体和N型半导体 掺入微量杂质，可使半导体导电性能大大增强。按掺入杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。 1、P型半导体(掺入硼B) B原子与相邻的Si原子形成共价键时，