半导体器件物理23(全).ppt

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半导体器件物理23(全)

* § 5.5 MOS 管的交流小信号参数和频率特性 1.交流小信号参数 MOS 管的小信号特性是指在一定工作点上,输出端电流的微小变化与输入端电压的微小变化之间有定量关系,由于这是一种线性变化关系,所以可以用线性方程组描述小信号特性,其中不随信号电流和信号电压变化的常数即为小信号参数。 (1)跨导 跨导是 MOS 管的一个重要参量,它反映外加栅极电压的变化量控制漏源电流变化量的能力, 的定义为 跨导的单位是欧姆的倒数,标志着 MOS 管的电压放大本领。 与电压增益 的关系为 式中, 为 MOS 管的负载。从上式可以看出,MOS 管的跨导越大,电压增益也越大,跨导的大小与各种工作状态有关。 ① 线性区跨导 上式表明,在线性工作区, 随 的增加而略有增加。值得注意的是:上式看上去似乎与 无关,但测量结果表明,当 增大时, 下降,这是因为当 增大时,电子迁移率 下降的缘故。 在线性工作区( )时, 对 求导可得 ② 饱和区跨导 表明在饱和工作区,不考虑沟道调制效应时,跨导 基本上与 无关。要提高 MOS 管的跨导 和 ,可采取的方法为:改进 MOS 管结构(如增大管子的沟道宽长比,减薄氧化层厚度等),提高载流子迁移率等,这些措施与提高 的要求是一致的。适当增大栅极工作电压 ,可以增加饱和工作区的跨导。 在饱和工作区( )时, 对 求导可得 (2)漏源输出电导 ① 线性工作区的漏源输出电导 的定义为: 在线性区, 对 求导可得 上式表明随着 的增大,但还未到饱和区时, 将会减小。在 较小时: 因此,在 较小时,线性区的漏源输出电导 和饱和工作区的跨导 相等,在 不太大时, 与 成线性关系。输出电阻 与 是双曲线关系,即 随 的增大而减小。当漏源电流较大时, 与 的线性关系不再维持,这是因为电子的迁移率随 的增加而减小。 ② 饱和区漏源输出电导 在理想情况下,若不考虑沟道长度调制效应,饱和区的漏电流 与 无关。饱和工作区的 应为零,即输出电阻为无穷大。 对于实际 MOS 管,饱和区输出特性曲线总有一定的倾斜,使输出电导不等于零,即输出电阻不为无穷大。造成输出特性曲线倾斜的主要原因是沟道长度调制效应,当 时,沟道有效长度缩短,从而导致饱和电流 随 的增加而增加。 考虑沟道调制效应后的饱和电流为: 根据电导的定义可得: (3)串联电阻对 和 的影响 ① 对跨导 的影响 由于 MOS 管源区的体电阻、欧姆接触及电极引线等附加电阻的存在,使源区和地之间有一个外接串联电阻 。若加在栅极与地之间的电压为 ,引起的漏源电流为 ,则在 上有一个压降 ,真正加在栅极与源之间的电压 与 的关系为 考虑到 影响后的跨导 为: 这是深反馈情况,跨导与器件参数无关。 上式表明,当 MOS 管源极串联电阻不能忽略时,其跨导将 减小 ,但其中 起负反馈作用,可以稳定跨导。 如果 很大,则有: 若漏区的外接串联电阻为 ,用相似的讨论方法可以得到在线性工作区受 及 影响的有效输出电导为 上面讨论表明,串联电阻 和 会使跨导和输出电导变小,在设计和制造 MOS 管时,应尽量减少漏极和栅极串联电阻。 (2)对输出电导 的影响 2.MOS 管的截止频率 和 JFET 类似,可用如图所示的等效电路来分析 MOS 管的截止频率。截止频率 为输出电流和输入电流之比为 1 时的频率,即当器件输出短路时,器件不能放大输入信号时的频率。 栅极端输入的信号电流为: 漏极端输出的交流电流(由跨导定义知)为: 当 时,达到增益为 1(不再放大)的条件,此时的频率为截止频率 ,所以有 上式表明,要提高工作频率或工作速度,沟道的长度要短,载流子迁移率要高。 (线性区

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