快闪存储器的发展.ppt

快闪存储器技术的发展;;一、快闪存储器的发展;二、新型快闪存储器技术：;1、多电平（Multi-Level)单元技术; 在编程操作过程中，必须通过将存在于每个快闪存储单元中的模拟电压划分为多个Vt电平，来精确的把电荷放到浮栅上，每个Vt 电平是由浮栅上的电子数量控制的。沟道热电子（CHE）注入控制这个电荷布局控制。;图2 SLC 与MLC 编程对比; 在读操作过程中，电荷检测是关键。读速度可与单电平存储器相比拟。数据读操作根据三个读参考单元的阈值电压来检测存储单元落在四个电平中的哪一级。参考单元所处的偏置条件使其导通电流与它的特定的Vt 值成比例。; 擦除操作是利用F-N 隧穿效应来实现的，在擦除过程中，通过适当的存储块源开关把一个正电压加到一个存储块中的所有源极连线上。控制栅被连接到一个负电压，而要擦除的存储块的漏极都浮空。当单元处于这种偏置时??先前被存储在浮栅上的电子现在就被源区吸引了。; 3-D存储单元结构通过将存储单元往硅片纵向发展来提高集成密度，如图4所示。该结构在衬底表面形成三维的柱状结构（pillar),并在该Pillar结构侧壁上形成两个分离的浮栅，从而在一位单元的平面面积上集成两位存储单元。读取时电流从顶端的漏极通过侧壁表面垂直流到底端的源极。该结构具有较好的防穿通特性和隔离特性，但工艺实现较为复杂。;3、SIBE 快闪存储器;图 6 编程状态下源极诱导带带隧穿及热电子注入的示意图。;（2）SIBE存储单元的擦除操作;（3）SIBE Flash 单元的读取操作; 在VS=VPW=0 时，存储单元处于线性区，由上述分析，IS、In-halo和ID 满足以下关系：;1、DINOR;2、DuSNOR;（三）新型编程机制;三、金属纳米晶快闪存储器;（1）金属纳米晶存储器结构及工作原理;图12　纳米存储器无外加电场和电荷存储时的能带图;图13　编程(a) 、保存(b) 和擦除(c) 状态下的电子能带简图;（2）金属纳米晶的制备;（3）金属纳米晶存储器的性能改进;图15　用金属纳米晶与富含陷阱的介质作为电荷俘获层的存储器 结构剖面图;谢谢！