変位电流密度.PPT

３．電磁波の基礎 3.1　電磁波の基本法則 3.1.1　電磁波を表す量 電磁波は電荷と電流を源(ソース)として発生する。 電荷密度ρ[C/m3]と電流密度J[A/m2]が源となる。 電磁波を記述する物理量：電界E[V/m]，電束密度D[C/m2]， 磁界H[A/m]（AT/m），磁束密度B[T]（Wb/m2） これらは場所r=[x,y,z]と時間tの関数でρ(r,t), E(r,t)のように表す。 3.1.2構成方程式 構成方程式：電界E，電束密度D，磁界H，磁束密度Bの間の関係 ε[F/m]：誘電率，μ[H/m]：透磁率，σ[S/m]：導電率 J0：外部から加えられた電流密度 媒質定数：ε，μ，σ 本講義で扱う媒質 線形：媒質定数がE, Hの大きさに依存しない 等方性：媒質定数がE, Hの方向に依存しない 非分散性：媒質定数が電磁波の周波数に依存しない [1]　真空：ε0=8.854?10-12[F/m]，μ0=4π?10-7 [H/m]，σ=0[S/m]：空気 [2]　無損失の誘電体：εε0，μは真空にほぼ等しく，σ=0：絶縁体 [3]　完全導体：σ=∞：金属 [4]　損失を持つ媒質：0σ∞：実際の材料 自由空間：均質，線形，等方性媒質で満たされた無限空間 (大気中，真空中) 3.1.3 マクスウェルの方程式 [1] アンペアの周回積分の法則 閉曲線Cに沿う磁界Hの接線成分を線積分 したものはCと鎖交する全電流に等しい C：任意の閉曲線　dl：閉曲線上の線素 A：Cで囲まれる曲面　dS：曲面上の面素 n：A上の単位法線ベクトル 電流密度Jと磁界Hの方向は右ねじの関係 例題3.1　半径a[m]の無限長円柱内を電流が密度J[A/m2]で一様に流れている。円柱の中心軸から半径r(a)の円周上における磁界は より [2] 変位電流 マクスウェルはDの時間変化も磁気作用を持つと考え,変位電流密度 を導入し，誘電体中も電流が流れると考えた。 コンデンサに交流電圧を加えると電流が流れる。銅線の周りには磁界が発生する。コンデンサの誘電体の周りにも磁界が発生する。極板間に電界Eは発生するが，誘電体の導電率は0で電流は流れない。 誘電体中には変位電流が流れている と考える 電流には誘電体中を流れる変位電流と，導電性媒質を流れる電流 (導電電流)がある。 例題3.2　図3.2の並行平板コンデンサ(極板の面積A[m２]，極板間距離 d[m]，極板間の誘電率ε[F/m])に 　　　　　　　　　　　　　を加えたときの 変位電流を求める。 極板間電界： 誘電体の電束密度： 変位電流密度： 変位電流： 　　　　　　　　とおくと 静電容量Cのコンデンサに を加えたときの電流 に等しい。 [3] 拡張されたアンペアの法則 変位電流を考慮すると [4] ファラデーの電磁誘導の法則 微小横断面Sを持つ銅線回路Cと鎖交する磁束Φが時間変化 する。Φの時間変化により -dΦ/dtの起電力が発生し電流Iが流れる。銅線の抵抗をRとすると 銅線は細いので電流密度は一定と仮定する。 銅線の導電率をσとすると Φの時間変化により，銅線内部に電界を生じ電流が流れる。 電界Eと回路Cの線素ベクトルdlのスカラ積を取って，Cに沿って周回 積分する。 ここで，lは回路の全長である。 マクスウェルは閉回路が導体でなくても，Cと鎖交する磁束が時間的に変化すると，Cに沿う各点には電磁誘導による電界が発生すると考えた。 S0を，閉回路Cを縁とする任意の閉局面とすれば、ストークスの定理から dlはCの線素でnはdaの外向きの法線ベクトル 磁束密度の時間変化　　　　　　はその周りに電界Eを誘導する。 [5] ガウスの法則 ある閉曲面Aから出て行く電束の総数は，その閉曲面Vにある電荷の 総数に等しい。磁束については閉曲面Aから出て行く総数は０ (磁力線は連続しておりAに入った分だけAから出て行く) 補助方程式(電荷と導電電流の関係)：連続の式 [６]　マクスウェルの方程式(微分形) 式(３.４)-(３.７)を，ナブラベクトル演算子　を用いあらわす 微分形に変形するためストークスの定理 ガウスの定理 3.4 3.5 3.6 3.7 は回転(rotation, curl) は発散(divergence) 任意のベクトル　　　　　　　　　に対する回転と発散は 直交座標系で ix, iy, izは単位ベクトル 3.2　平面電磁波 真空，誘電体，損失媒質中の平面波を導いて伝播の様子を調べる 3.2.1　正弦波的に変化する電磁波 定常界：電界や磁界が単一周波数fで時間的に正弦波状に変化 [1]　複素表示 角周波数ωで時間的に変化する電界　　　　について，複素表示　　　　　 を使って次のように定