熔石英后表面坑点型划痕对光场调制近场模拟.doc

熔石英后表面坑点型划痕对光场调制的近场模拟( 章春来1) 王治国1) ? 向霞1) 刘春明1) 2) 李莉1) 袁晓东2) 贺少勃2) 祖小涛1)1) （电子科技大学物理电子学院，成都 610054） 2） (中国工程物理研究院激光聚变研究中心，绵阳 621900)3维时域有限差分方法划痕δ，深和间距均为30δ的坑点划痕进行刻蚀模拟，刻蚀过程中最大LIEF为11.0，当间距小于300nm时，相邻坑点由于衍射形成场贯通。 关键词: 熔石英，坑点型划痕，激光辐照，时域有限差分 PACS: 42.70.Ce，46.15.-x，42.62.-b，42.60.Jf 1. 引言 在大型高功率固体激光器的建设过程中，熔石英是应用最普遍的光学材料美国国家点火装置National Ignition Facility，NIF和法国Laser MégaJouleLMJ）装置在强激光作用下，更为严重的是，损伤自加速：初始损伤一旦发生，将会弱化材料的力学、光学、热学等性能，使其更易损伤。激光导致的损伤大大降低了熔石英元件的负载能力，已成为限制系统输出能力的一个主要因素。光学元件的激光损伤包括表面损伤和体损伤随着材料加工工艺的不断改进，体内基本上可以做到不含有杂质和缺陷，发生体损伤的几率很小。目前，光学元件的损伤以表面损伤为主，表面损伤与元件加工质量和表面吸附的杂质、水蒸气等污染物有关，在一定激光参数条件下，熔石英表面和亚表面缺陷是激光诱导表面损伤的主要原因。2.5～12的变化范围内获得的最大的场增强因子约7.4，且呈减小趋势[12]。鉴于其对称性，作者认为若非是无限长且截面光滑的横向划痕，简化为2维模型显然会使最终结论小于实际结果。另外该文未给出这类划痕可能出现的最大的光强增强因子（LIEF），未给出最可能引起损伤的宽深比范围以及坑点间距，同时也没有研究酸刻蚀以后对光场调制带来的影响。本文将单坑简化为3维旋转抛物面模型，用3维FDTD方法系统研究了这类划痕的深度效应、宽度效应、间距效应以及刻蚀过程等对其光场调制的影响，以期能为熔石英亚表面多划痕诱导场致损伤的量化问题起到抛砖引玉的作用。 2. 物理模型与计算方法 选取康宁公司生产的Corning 7980熔石英样品，放入PH值约5的酸缓冲溶液中进行刻蚀完成后立即取出，迅速用去离子水冲洗，然后用无水乙醇进行脱水。对熔石英进行。 图1 同一坑点型划痕刻蚀前后的原子力显微图 基于此，建立如下计算模型：坑点型划痕的单坑呈完美对称的旋转抛物面，所有坑点全等、呈直线分布且相距相等的距离，模型如图2(a)。设其宽为a，深为b，坑点间距为c。为了后文描述的方便，将几个对称截面定义如下：垂直于x轴且沿着间距c的截面称为α面；垂直于y轴且垂直平分间距c的截面称为β面；垂直于z轴的截面称为γ面（γ面有多个，若z=n则称为γn面）。α面如图2(b)所示，单坑截面呈抛物线型。酸刻蚀过程中，假设坑点界面永远保持为旋转抛物面，并假设刻蚀过程中外侧水平表面不发生变化（不足以引起光场的调整），所有全等的坑点进行同一种刻蚀变化：抛物面上每一个点具有垂直向下的刻蚀速率，即相当于把抛物面整体往-z方向平移。设经Δt刻蚀时间后，刻蚀量为Δx（如图2(b)）。此时，深度为b+Δx，宽度为，间距为c+a-。当Δx ≥ bc(c+2a)/a2时，间距消失，相邻两坑点将逐渐贯通。 图2 坑点型划痕旋转抛物面模型：(a) 三维结构示意图 (b) α截面酸蚀过程示意图：实线代表刻蚀前的表面，虚线和点线代表刻蚀后的表面 计算时，坑点划痕位于熔石英的后表面（如图2(a)），即激光沿z轴正方向入射，激光波长λ为355 nm，入射波沿x轴线极化，电场幅值为1.0 V/m。熔石英的相对介电常数εr取2.25[9,10,12]，差分网格尺寸δ在三维方向上均为λ/12取δ/2Berenger的完全匹配层（PML）吸收性边界条件，PML层厚度为9δ[11]。模拟时忽略其它杂质或缺陷的存在，并认为缺陷区域被完纯空气填充。 3. 计算结果与分析 3.1 坑点深度对光场调制的影响 设定三维总场是250δ×250δ×115δ，时间步数n=1800，水平分界面是z=100δ。研究了a=80δ，c=40δ，b从6δ开始逐渐增大的坑型划痕的后表面近场光场调制。结果如图3所示，由图3(a)，α面和β面都约在b=36δ时取得最大电场幅值（|E|max），α面的最大值2.69160 v/m，β面的最大值2.58512 v/m，对应的LIEF分别是7.24和6.68。图3(b)是电场幅值|E|≥ 2.0 v/m的数据点统计，从拟合的结果来看，α和β两平面表现出了很大的同一性，即b为36δ~39δ时，|E|≥ 2.0 v/m的数据点数目最多，α面和β面的最大值分别是39个