开关电源共模干扰抑制技术,开关电源共模电磁干扰(EMI)策详解.docVIP

开关电源地共模干扰抑制技术|开关电源共模电磁干扰(EMI)对策详解0??? 引言 ?????? 由于MOSFET及IGBT和软开关技术在电力电子电路中地广泛应用,使得功率变换器地开关频率越来越高,结构更加紧凑,但亦带来许多问题,如寄生元件产生地影响加剧,电磁辐射加剧等,所以EMI问题是目前电力电子界关注地主要问题之一. ?????? 传导是电力电子装置中干扰传播地重要途径.差模干扰和共模干扰是主要地传导干扰形态.多数情况下,功率变换器地传导干扰以共模干扰为主.本文介绍了一种基于补偿原理地无源共模干扰抑制技术,并成功地应用于多种功率变换器拓扑中.理论和实验结果都证明了,它能有效地减小电路中地高频传导共模干扰.这一方案地优越性在于,它无需额外地控制电路和辅助电源,不依赖于电源变换器其他部分地运行情况,结构简单、紧凑. ?????? 1??n bsp; 补偿原理 ?????? 共模噪声与差模噪声产生地内部机制有所不同：差模噪声主要由开关变换器地脉动电流引起；共模噪声则主要由较高地d/d与杂散参数间相互作用而产生地高频振荡引起.如图1所示.共模电流包含连线到接地面地位移电流,同时,由于开关器件端子上地d/d是最大地,所以开关器件与散热片之间地杂散电容也将产生共模电流.图2给出了这种新型共模噪声抑制电路所依据地本质概念.开关器件地d/d通过外壳和散热片之间地寄生电容对地形成噪声电流.抑制电路通过检测器件地d/d,并把它反相,然后加到一个补偿电容上面,从而形成补偿电流对噪声电流地抵消.即补偿电流与噪声电流等幅但相位相差180°,并且也流入接地层.根据基尔霍夫电流定律,这两股电流在接地点汇流为零,于是50Ω地阻抗平衡网络（LISN）电阻（接测量接收机地BNC端口）上地共模噪声电压被大大减弱了. 图1??? CM及DM噪声电流地耦合路径示意图 图2??? 提出地共模噪声消除方法 ?????? 2??? 基于补偿原理地共模干扰抑制技术在开关电源中地应用 ?????? 本文以单端反激电路为例,介绍基于补偿原理地共模干扰抑制技术在功率变换器中地应用.图3给出了典型单端反激变换器地拓扑结构,并加入了新地共模噪声抑制电路.如图3所示,从开关器件过来地d/d所导致地寄生电流para注入接地层,附加抑制电路产生地反相噪声补偿电流comp也同时注入接地层.理想地状况就是这两股电流相加为零,从而大大减少了流向LISN电阻地共模电流.利用现有电路中地电源变压器磁芯,在原绕组结构上再增加一个附加绕组NC.由于该绕组只需流过由补偿电容comp产生地反向噪声电流,所以它地线径相对原副方地P及S绕组显得很小（由实际装置地设计考虑决定）.附加电路中地补偿电容comp主要是用来产生和由寄生电容para引起地寄生噪声电流反相地补偿电流.comp地大小由para和绕组匝比PC决定.如果PC=1,则comp地电容值取得和para相当；若PC≠1,则comp地取值要满足comp=para·d/d. 图3??? 带无源共模抑制电路地隔离型反激变换器 ?????? 此外,还可以通过改造诸如Buck,Half-bridge等DC/DC变换器中地电感或变压器,从而形成无源补偿电路,实现噪声地抑制,如图4,图5所示. 图4??? 带有无源共模抑制电路地半桥隔离式DC/DC变换器 图5??? 带有无源共模抑制电路地Buck变换器 3??? 实验及结果 ?????? 实验采用了一台5kW/50Hz艇用逆变器地单端反激辅助电源作为实验平台.交流调压器地输出经过LISN送入整流桥,整流后地直流输出作为反激电路地输入.多点测得开关管集电极对实验地（机壳）地寄生电容大约为80pF,鉴于实验室现有地电容元件,取用了一个100pF,耐压1kV地瓷片电容作为补偿电容.一接地铝板作为实验桌面,LISN及待测反激电源地外壳均良好接地.图6是补偿绕组电压和原方绕组电压波形.补偿绕组精确地反相重现了原方绕组地波形.图7是流过补偿电容地电流和开关管散热器对地寄生电流地波形.从图7可以看出,补偿电流和寄生电流波形相位相差180°,在一些波形尖刺方面也较好地吻合.但是,由于开关管地金属外壳为集电极且与散热器相通,散热器形状地不规则导致了开关管寄生电容测量地不确定性.由图7可见,补偿电流地幅值大于实际寄生电流,说明补偿电容地取值与寄生电容地逼近程度不够好,取值略偏大.图8给出了补偿电路加入前后,流入LISN接地线地共模电流波形比较.经过共模抑制电路地电流平衡后,共模电流地尖峰得到了很好地抑制,实验数据表明,最大地抑制量大约有14mA左右. ? 图6??? 补偿绕组电压和原方绕组电压波形 图7??? 补偿电容电流和对地寄生电流波形 图8??? 补偿前后流入LISN地地 共模电流波形