SiO2纳米柱阵列太阳电池减反射层设计-武汉理工大学学报.PDF

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2018-08-17 发布于天津
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SiO2纳米柱阵列太阳电池减反射层设计-武汉理工大学学报

第卷第期武汉理工大学学报 33 暋 4 暋暋暋暋暋暋暋 Vol.33暋No.4 JOURNALOFWUHANUNIVERSITYOFTECHNOLOGY 暋A r.2011 年月 p 2011 4 棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁 : / DOI10.3963 .issn.1671灢4431.2011.04.001 j SiO2纳米柱阵列太阳电池减反射层设计 , , , 汪礼胜沈杨超陈凤翔王嘉赋 ( , ) 武汉理工大学理学院武汉 430070 : , 。摘要采用严格耦合波理论和增强透射矩阵方法对纳米柱阵列太阳电池减反射层进行了优化设计设计的暋暋 SiO2 , 。纳米柱阵列结构在波长范围内可实现在太阳光的入射范围内平均加权反射率接近通过 300~1200nm 0曘~60曘 1% / , 与以太阳光入射优化设计的新型纳米单层和双层减反射膜相比发现优化设计的纳米柱阵列 30曘 SiO SiO TiO SiO 2 2 2 2 、 , 、。减反射层结构在宽波段宽入射角度范围内能更有效地减少光反射从而提高太阳电池的转换效率降低生产成本 : ; ; ; ; 关键词纳米柱阵列太阳电池严格耦合波理论减反射加权平均反射率暋SiO2 暋暋暋暋中图分类号: ; 文献标识码: 文章编号: ( ) 暋O472暋TK514 暋A 1671灢4431201104灢0001灢05 DesinofSiO NanoillarArra AntireflectionLaerforSolarCells g 2 p y y , , , WANGLi灢