Si基Ge波导光电探测器的制备和特性研究.PDF

光 电 子 ·激 光 第 20 卷 第 8 期 　2 00 9 年 8 月 　　　　　　 J our nal of Opt oelectr on ics ·La ser 　　　　　　　　Vol . 2 0 No . 8 　A u g . 200 9 3 Si 基 Ge 波 导 光 电 探 测 器 的 制 备 和 特 性 研 究 1 3 3 2 2 2 2 陈荔群 , 周志文 , 李 　成 , 赖虹凯 , 陈松岩 ( 1.集美大学诚毅学院 ,福建 厦门361021 ; 2 . 厦门大学物理系,半导体光子学研究中心 ,福建 厦门361005) 摘要 :以外延 Ge 薄膜为吸收区 ,在 Si 基上制备了 Ge 波导光电探测器 。利用超高真空化学汽相淀积 (U HV/ CVD) 设备,采取低温高温两步法 ,在 Si ( 100) 衬底上外延出厚度约为 500 nm 的高质量纯 Ge 层。探测器采用脊 型波导结构 ,Al 电极分别制作在波导的台面上下形成背对背肖特基结。I2V 特性测试表明,在 - 1 V 偏压下 ,暗 电流密度为 0. 2 mA/ cm2 。由于 Si 与 Ge 热失配引起外延的 Ge 薄膜受到 0. 2 %张应变 ,减小了 Ge 带隙,光响应 波长范围扩展到 1. 60 μm 以上。在 70 m 、1. 55 μm 入射光照射下,测得光电流比暗电流高出近 1 个数量级 。 关键词 : Ge ; 波导; 光电探测器 ( ) 中图分类号 : TN304 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :100520086 2009 0821012204 Fabr icat ion and character ist ics of Si2ba sed Ge waveguide phot odet ector s 1 3 3 2 2 2 2 CHEN Li2qun , ZHOU Zhi2wen , L I Cheng , LAI Hong2kai , CHEN Song2yan ( 1. Cheng yi College ,J imei University ,Xiamen 361021 ,China ; 2 . Semiconductor Photonics Research Center ,Depart 2 ment of Physics ,Xiamen U niversity ,Xiamen 361005 ,China) Abstract :A Si2ba sed Ge waveguide photodetecto r wa s f abricated and characterized. High2quality tensile str ained Ge layer (about 500nm) wa s epitaxially gro wn o n a Si (100) substr ate by low2 and high2 tem2 perature t wo2step growt h met hod in ult rahigh vacuum chemical vapor deposition . Two metal2ger manium schottky j unctions on and under th