利用摆动曲线法研究薄膜结晶性对基于酞菁铜的有机薄膜晶体管性能的影响.pdfVIP

利用摆动曲线法研究薄膜结晶性对基于酞菁铜的有机薄膜晶体 管性能的影响 张吉东1，王海波，朱峰，宋德，娄坤，闫东航 高分子物理与化学国家重点实验室，中国科学院长春应用化学研究所，长春， 130022 摘要本文用真空沉积的方法制备了三种不同形态的酞菁铜薄膜并用摆动曲线方法对其结晶 性进行了表征。之后又制备并表征了基于这三种薄膜的有机薄膜晶体管器件。实验结果表明， 沉积在100oC基底上的酞菁铜薄膜有最窄的摆动曲线，对应的器件有最高的载流子迁移率。 这些说明摆动曲线半峰宽一个可以用来衡量载流子迁移率的参数。 关键词摆动曲线有机薄膜晶体管 ． 有机半导体光电器件因其可以低成本地制作大面积柔性的光电子产品而成为一个热门 的研究方向。此类器件中有机薄膜晶体管(OTFT)在显示驱动、IC电路等方面的潜在应用 而引起了越来越大的研究兴趣。[13目前基于单晶的有机薄膜晶体管的载流子迁移率与非 晶硅的水平相同。[2-4]现在这方面的研究主要集中在新材料的开发与器件制作工艺的改 进。目前的研究结果表明对于同一种有机半导体材料，薄膜的形态如晶粒尺寸、晶界等对 器件性能有很大的影响。[5]例如对基于酞菁铜的有机薄膜晶体管，沉积有机薄膜时基底