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正交场间隙中电子束动力学行为的研究Ξ-强激光与粒子束
第10卷 第1期 强 激 光 与 粒 子 束 . 10, . 1
V o l N o
1998年2月 H IGH POW ER LA SER AND PA R T ICL E BEAM S Feb. , 1998
正交场间隙中电子束动力学行为的研究
胡红庆 杨中海
( 电子科技大学高能电子学研究所, 成都 610054)
摘 要 用一维粒子模拟的方法对正交场平板二极管间隙中电子束的动力学行为进行了
研究, 模拟结果表明: 注入电流存在着一个临界值, 当注入电流超过这个临界值时, 电子束的行
为将由层流态变化到扰动态。当考虑相对论效应时, 这种由层流态到扰动态的中间过程较为明
显, 且电流临界值突然下降, 与外加电压和磁场的关系不再是一个简单的单调递增关系。
关键词 正交场间隙 临界电流 粒子模拟
由于正交场器件具有大功率、高效率及极高相位稳定性等特点, 因此它一直是人们研究的
热点, 如磁控管、正交场放大管以及正交场返波振荡管等[ 1, 2 ]。对于此类器件, 国内外大多数研
究只考虑了电子在 × 方向漂移时的不稳定性, 而忽略了电子作摆线运动时的扰动。
E B
由熟知的 定律可知, 当注入电流超过空间电荷限制电流时, 由于间隙内
Ch ild L angm u ir
空间电荷效应所形成的势阱, 将阻碍电子束的传输, 从而形成虚阴极振荡。另一阻碍电子束传
输的因素是外加一个平行于阴极的磁场。由赫尔定律可知, 当这个外加的磁场大于赫尔截止磁
场时, 从阴极表面发射的电子将作摆线运动, 不能到达阳极表面。此赫尔截止磁场为[ 3 ]
B h = (2m V eD 2 ) 12 ( 1)
其中V 是二极管的电压,D 是阴阳极间的距离,m 是电子质量, e 是电子电量。
. . 等人的研究工作表明, 在非相对论的情形下, 当外加磁场大于赫尔截止
P J Ch risten son
磁场时, 存在一个临界发射电流密度J c , 当发射电流小于它时, 电子束的行为为一稳态过程,
[ 4 ]
而大于此临界值时, 电子束行为最终呈现为扰动态。此临界发射电流密度为
9 B 3 B h 2
J c = ( ) [1 - 1 - ( ) ]J cl (2)
8 B h B
( ) ( 3 ) ( ) 3
其中 = 29 为 限制电流密度, = 为电子的回
J cl m 0 D e B h B Ch ild L angm u ir eB m
[ 5 ]
旋频率。当外加磁场小于赫尔截止磁场时, 临界发射电流密度与外加磁场几乎无关 。
本文将 . . 等人的工作推广到了相
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