知识单元-半导体存储器.DOCVIP

第七章 半导体存储器 S15101B 按存取方式分类，常用的存储器有： 存储器、 存储器和 存储器三种。 解： 顺序访问，随机存取，只读 S15101G 地址的选择是借助于地址译码器来实现的，设RAM地址码有8位，若采用单地址结构寻址的译码器，则译码器的输出端有 个。若采用4×4的双地址结构的译码器，则译码器的输出端有 个。 解： 256，32 S15101I 只读存储器有 、 、 等类型。 解： ROM，PROM，EPROM 用PLA实现组合逻辑电路，不必产生全部 ，而只需产生必要的 。 解： 最小项，质蕴涵项 S15105I 可用 片容量为16K×8的RAM构成容量为32K×8的RAM。 解： 2 S15105N MOS-RAM静态存储单元是用MOS管构成 器存储信息，MOS-RAM动态存储单元是利用 暂时保存信息，所以存储器的信息必须周期性地进行 。 解： 触发，栅极电容，刷新 S15201B 顺序存储器和随机存取存储器都具有( )。 A. 读/写功能 B. 无读/写功能 C. 只读功能 D. 只写功能 解： A S15201G 由16片1024×1的芯片连成的存储系统如图所示，则该系统的地址线有( )。 A. 8根 B. 9根 C. 10根 D. 16根 解： C S15201I 对8字×1位先进后出顺序访问存储器，若写入信息的顺序则读出的顺序是( )。 A. B. C. D. 解： A S15201N 对2114（1K×4）的RAM芯片，采用5×5的双地址结构的译码器，则译码器的输出端个数为( )。 A. 2×25 B. 26 C. 210 D. 25×25 解： A，B S15202B 随机存取存储器是( )。 A. 只读存储器 B. 挥发性存储器 C. 不挥发性存储器 D. A、B、C三项都不是 解： B S15202G PROM的与阵列是( )。 A. 全译码可编程阵列 B. 全译码不可编程阵列 C. 非全译码可编程阵列 D. 非全译码不可编程阵列 解： B S15202I 某顺序访问存储器，设相邻两字的访问时间间隔为10ns，若在时刻100ns时，读出第五个字，则在130ns时，读出的字是第( )个字。 A. 2 B. 4 C. 8 D. 16 解： C S15202N 对2112（256×4）的RAM芯片，采用单地址结构的译码器，译码器输出端的个数为( )。 A. 28 B. 2×28 C. 27 D. 24 解： A S15203B 欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8的RAM，则需控制各片选端的辅助译码器的输出端个数为( )。 A. 2 B. 3 C. 1 D. 8 解： D S15203G PROM和PAL的结构是( )。 A. PROM的与阵列固定，不可编程 B. PROM或阵列可编程 C. PAL与阵列、或阵列均可编程 D. PROM与阵列、或阵列均不可编程 解： A，B，C S15203I 对8字×1位先进后出顺序访问存储器，若写入信息的顺序则读出的顺序是( )。 A. B. C. D. 解： A S15203N 一个容量为512×1的静态ROM具有( )。 A. 地址线9根，数据线1根 B. 地址线1根，数据线9根 C. 地址线512根，数据线9根 D. 地址线9根，数据线512根 解： A S15204B 欲将容量为256×8的RAM扩展