超低功耗无片外电容的低压差线性稳压器.PDFVIP

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超低功耗无片外电容的低压差线性稳压器

( ) 浙 江 大 学 学 报 工学版 第 卷第 期 Vol.51No.8 51 8 ( ) 年 月 JournalofZheian Universit Enineerin Science j g y g g Au.2017 2017 8 g : / DOI10.3785 .issn.1008-973X.2017.08.025 j 超低功耗无片外电容的低压差线性稳压器 1 2 1 1 1 , , , , 陈 琛 孙可旭 冯建宇 奚剑雄 何乐年 ( , ; , ) 1.浙江大学 超大规模集成电路设计研究所 浙江 杭州 310027 2.南卫理公会大学 电子工程系 美国 达拉斯 德克萨斯州 : ( ) , 摘 要 为了减小无片外电容低压差线性稳压器 的功耗并提高稳定性 提出带有阻抗衰减缓冲器的 LDO LDO. , , 该 LDO主环路采用三级运放结构 具有动态偏置并联反馈结构和摆率增强电路的缓冲器作为中间级 驱动 PMOS ( ), , 功率管 使用嵌套密勒补偿方式 将低频主极点放置在第一级输出 将缓冲器输出极点和 输出极点作 . NMC LDO , 为次极点构成极点 极点追踪 达到无片外电容 稳定性和瞬态响应的要求 芯片采用 公司的 - LDO . GSMC 130nm : , , 工艺模型设计并经流片测试 测试结果表明 在 输入电压下 输出 电压 最大输出电流为 CMOC . 1.6~4V 1.5V 1.5mA时静态电流小于 881nA.测试结果验证了设计要求. : ; ; ; ( ); 关键词 低压差线性稳压器 超低功耗 无片外电容 嵌套密勒补偿 NMC 阻抗衰减缓冲器 中图分类号: ; 文献标志码: 文章编号: ( ) TN401 TN86

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