微电子制造技术-第 14 章 光刻：对准和曝光.pptVIP

UV light 投影掩膜版尺寸 20 mm × 15mm, 每场4个芯片 5:1 缩小透镜 硅片 图形曝光在硅片上是投影掩膜版视场的 4 mm × 3 mm, 每次曝光4个芯片 曲折的步进图形 Figure 14.36 步进光刻机的曝光场 5:1 lens UV UV 步进和扫描 像场 扫描 分步重复光刻机像场 (单次曝光) 4:1 lens 投影掩膜版 投影掩膜版 扫描 扫描 Wafer Wafer 步进方向 Figure 14.37 步进扫描光刻机的硅片曝光场 投影掩膜版 投影掩膜版上只包括硅片上一部分图形，这个图形必须通过分步重复来覆盖整个硅片表面。在硅片制造过程中投影掩膜版用于分步重复光刻机和步进扫描光刻机。 而掩膜版则包含了整个硅片的芯片阵列，可通过一次曝光完成图形转印（1:1图形转印），用于较老的接近式光刻机和扫描对准投影机中。表14.6把投影掩膜版和掩膜版做了比较。可以帮助我们了解光刻工业把掩膜版改成投影掩膜版的原因。 Table 14.6 投影掩膜版和掩膜版的比较 光学增强技术 随着关键尺寸减小到0.15μm及以下，衍射和散射会明显影响投影掩膜版上图形有效地转印到硅片上。光学增强技术用于投影掩膜版上，以改善图像质量和分辨率。用于光学增强技术的光刻称作亚波长光刻。 所谓光学增强技术就是采用像移掩膜技术和光学邻近修正技术。像移掩膜技术就是投影掩膜版被一层附加透明层修正以改变透光区域使光像移180度，从而克服光通过掩膜版上小孔时发生衍射的有关问题。而光学邻近修正技术就是引入可选择的图像尺寸偏差到掩膜版图形上，来补偿光学邻近效应。因为掩膜版设计者可以利用计算机算法，对掩膜版上小特征尺寸生成光学邻近修正。 对 准 为了成功地在硅片上复印图形，必须把硅片上的图形正确地与投影掩膜版上的图形对准。只有每个投影的图形都能正确地和硅片上的图形匹配，才能实现集成电路相应的功能。对准就是确定硅片上图形的位置、方向和变形的过程，然后利用这些数据与投影掩膜版图形建立起正确的关系。对准必须快速、重复和精确，对准过程的结果，或者每个连续的图形与先前层匹配的精度，被称作套准。 套准精度是测量对准系统把版图套准到硅片上图形的能力。套准容差描述将要形成的图形层和前层图形的最大相对位移（见图14.46）。一般而言，套准容差大约是关键尺寸的1/3。对于0.15μm的设计规测，套准容差大约为50nm -X +X +Y -Y DX -DY 套准偏差 -X +X +Y -Y 硅片图形 版图 精确的套准精度 Figure 14.46 套 准 对准标记 对准标记置于投影掩膜版和硅片上，用来确定它们的位置和方向的可见图形。投影掩膜版的对准标记（RA）在投影掩膜版的左右两侧，用于和安装在步进光刻机身上的基准标记对准。整场对准标记（GA）在第一次曝光时被光刻在硅片左右两边，用于每个硅片的粗对准。精对准标记（FA）是在每个场曝光时被光刻的。精对准标记用于每个硅片曝光场和投影掩膜版上的对准调节。 第二层掩膜 第一层掩膜 第二掩膜图形层 第一掩膜图形层 RA： 投影掩膜版对准标记, L/R GA： 硅片整场对准标记, L/R FA： 硅片精对准标记 L/R + + + + RAL RAR + GA + FAL + FAR + GAR + GAL 凹槽，粗对准 FAL FAR FAL/R + + FAL/R + 用于第二层掩膜 来自第一层掩膜 { Figure 14.49 对准标记 * * * 电信学院 微电子学系 * 微电子制造技术 微电子制造技术第 14 章 光刻：对准和曝光 概 述 对准就是把所需图形在硅片表面上定位或对准。而曝光是通过曝光灯或其它辐射源将图形转移到光刻胶涂层上。如果说光刻胶是光刻工艺的“材料”核心，那么对准和曝光则是该工艺的“设备”核心。图形的准确对准是保证器件和电路正常工作的决定性因素之一。 因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确对准。如果每一次的定位不准，将会导致成品率下降或者整个电路失效。 掩膜版上设计的每一层图形都有一个特殊功能，如接触孔、MOS的源漏区或金属线等，光刻过程中掩膜版把这些图形彼此套准来制成硅片上的器件或电路。版图套准过程有对准规范，就是前面提出的套准容差。怎样精确地把亚微米尺寸套准，对光学光刻提出了特殊的对准挑战。 学 习 目 标 1. 解释光刻中对准和曝光的目的