电子的谷自由度孙家涛孟胜Thevalleydegreeoffreedom-物理学报.PDFVIP

电子的谷自由度 孙家涛 孟胜 Thevalleydegreeoffreedomofanelectron SunJia-Tao MengSheng 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,187301(2015) DOI: 10.7498/aps.64.187301 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.187301 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I18 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 光激发作用下分子与多金属纳米粒子间的电荷转移研究 Theoreticalstudyofphotoinducedchargetransferinmolecule and multi-metalnanoparticles system 物理学报.2015,64(14): 147303 /10.7498/aps.64.147303 T 型双量子点分子Aharonov-Bohm干涉仪的电输运 ElectrontransportthroughT-shapeddoublequantumdot molecule Aharonov-Bohm interferometer 物理学报.2014,63(22): 227304 /10.7498/aps.63.227304 异质结电荷转移的密度矩阵理论近似研究 Studyonelectrontransferinaheterogeneoussystemusing a density matrixtheory approach 物理学报.2014,63(13): 137302 /10.7498/aps.63.137302 封装进过渡金属原子的单壁碳纳米管：密度泛函理论研究 Transitionmetalsencapsulatedinsidesinglewallcarbon nanotubes：DFTcalculations 物理学报.2014,63(7): 077302 /10.7498/aps.63.077302 平行耦合双量子点分子A-B干涉仪的电荷及其自旋输运 Chargeandspintransportthroughparallel-coupleddouble-quantum-dot molecule A-B interferometer 物理学报.2014,63(1): 017303 /10.7498/aps.63.017303 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 18 (2015) 187301 专题: 计算物理的近期发展和应用 电子的谷自由度 孙家涛 孟胜 (北京凝聚态物理国家实验室, 中国科学院物理研究所, 北京 100190) (量子物质协同创新中心, 北京 100190) ( 2015 年4 月28 日收到; 2015 年5 月29 日收到修改稿) 电子在晶格周期性势场影响下的运动遵循布洛赫定理. 布洛赫电子除了具有电荷和自旋两个内禀自由 度外, 还有其他内禀自由度. 能带色散曲线上的某些极值点作为谷自由度, 具有独特的电子结构和运动规 律. 本文从布洛赫电子的谷自由度出发, 简单介绍传统半导体的谷电子性质研究现状, 并重点介绍新型二维 材料体系, 如石墨烯、硅烯、硫族化合物等材料中谷相关的物理特性. 有效利用谷自由度的新奇输运特性, 将 其作为信息的载体可以制作出新颖的纳米光电子器件, 并有望造就下一代纳电子器件的新领域, 即谷电子学 (valleytronics). 关键词: 谷自由度, 二维原子晶体, 谷电子学, 谷霍尔效应 PACS: 73.63.–b, 73.43.–f, 73.90.+f DOI: 10.7498/aps.64.187301 由度(valley degree of freedom). 所谓的谷即固体