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第二章 半导体物理 和器件物理基础 主要内容 半导体材料的基本知识 PN结 双极晶体管 场效应晶体管 pn结的基本结构 英文缩写：FET (field-effec-transistor) 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件，从制做工艺的结法上分为两大类型： 第一类：结型场效应管（Junction FET） 第二类：绝缘栅型场效应管 （Insulated Gate FET） 又称：金属一氧化物一半导体型 （metal-oxide- semiconductor FET）; 简称 MOS型场效应管。 MOS场效应管的分类 MOS管又分为 增强型(EMOS) (enhancement MOS) 耗尽型(DMOS) (depletion MOS ) 每一种又有 N沟道型 P沟道型 所以一共有四种： N沟道增强型（NEMOS） P沟道增强型（PEMOS） N沟道耗尽型（NDMOS） P沟道耗尽型（PDMOS）