掺N改性后的氧化锌银.pptVIP

掺杂改性后ZnO/Ag纳米复合材料的结构精修及第一性原理计算 主要汇报内容 1.立题依据 2.研究思路 3.结果与讨论 4.结论 1. 立题依据 氧化物半导体ZnO是一种重要的宽带隙直接禁带半导体材料，在低压和短波长光电子器件方面有潜在的应用前景。 Rietveld 分析方法广泛用于固体粉末材料的结构精修，是解析结构的优化与可靠性验证的强有力的手段 密度泛函理论的迅速发展，它的应用领域越 来越广泛，在物理、化学和生物等多门学科 中，成为强有力的研究工具 2. 研究思路 XRD射线 衍射图谱 物相分析 运行FULLPROF编写.pcr文件 导入实验数 据并比较差谱 反复修改 参数直到最小 得到最终 晶胞参数 运行CASTEP 构建晶体结构 优化结构并 计算能量性质 分析结果 完成实验 图2-1 研究流程图 图3-1 掺杂后的ZnO/Ag纳米复合粉体在400℃时的实验谱与计算谱对比 3. 结果与讨论 3.1 结构精修结果 表3-1 Rietveld 精修可靠性因子 编号 Rp Rwp Rexp 1 9.8 10.8 5.59 2 8.8 9.75 5.97 3 8.59 9.55 5.59 4 7.96 9.10 5.86 5 8.89 9.67 9.79 注：Rp为衍射谱R因子， Rwp 为加权衍射谱R因子，Rexp为期望值R因子。编号1，2，3，4，5分别代表在250℃、300℃、350℃、400℃、450℃渗氮的ZnO/Ag纳米复合粉体的XRD图谱。 Num. Zn O a=b Aberration Rate of a,b c Aberration Rate of c x y z x y z 0 0.333 0.667 0 0.333 0.667 0.3825 3.25 0 5.207 0 1 0.333 0.667 0 0.333 0.667 0.3817 3.25096 0.000298 5.2093 0.000438 2 0.333 0.667 0 0.333 0.667 0.3816 3.25102 0.000314 5.2095 0.000471 3 0.333 0.667 0 0.333 0.667 0.3827 3.25069 0.000214 5.2088 0.000337 4 0.333 0.667 0 0.333 0.667 0.3821 3.25109 0.000336 5.2092 0.000413 5 0.333 0.667 0 0.333 0.667 0.3841 3.25187 0.000576 5.2090 0.000147 表3-2 ZnO的晶体学参数和 Rietveld 精修结果 注：编号0 、 1 、 2 、 3 、 4 、 5分别代表标准ZnO以及250℃、300℃、350℃、400℃、450℃渗氮的ZnO/Ag纳米复合粉体的XRD图谱， Aberration rate为畸变率。 表3-3 Ag的晶体学参数和 Rietveld 精修结果 Number a=b=c Aberration Rate Number a=b=c Aberration Rate 0 4.086 0 3 4.086744 0.000182 1 4.087179 0.000289 4 4.080322 -0.00139 2 4.087447 0.000354 5 4.079242 -0.00026 注：编号0 、 1 、 2 、 3 、 4 、 5分别代表在标准ZnO以及250℃、300℃、350℃、400℃、450℃渗氮的ZnO/Ag纳米复合粉体的XRD图谱，Aberration Rate为畸变率。 图3-2 ZnO的能带图 3.2掺杂改性后的ZnO/Ag的导电性 a b c d e 图3-3a、b、c、d、e分别为250℃、300℃、350℃、400℃、450℃渗氮温度下得到复合粉体的ZnO/Ag的能带图 编号 温度/℃ 带隙值/ eV 0 — 0.802678 1 250 1.0004295 2 300 1.0003517 3 350 1.0043779 4 400 1.0039504 5 450 0表3-4 掺杂改性后的ZnO/Ag及ZnO带隙值 图3-4 ZnO的态密度图 图3-5 ZnO的分态密度图 3.3 掺N改性后ZnO/Ag态密度以及分态密度 图3-6 450℃渗氮温度得到复合粉体的ZnO的态密度图及分态密度图 3.4掺N改性后ZnO/Ag光学性能图 图4-7 ZnO的光学性能图 d b c a e 图4-8 a、b、c、d、e 250℃、300℃、350℃、400