分辨率增强技术在65 nm45 nm ArF光刻中的应用.pdfVIP

21305年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 nmArF 分辨率增强技术在65nm一45 光刻中的应用 李艳秋” 张飞” 一 (L中国科学院电工研究所。北京100080；2．中国科学院研究生院，北京100039) E-mail：liyanq@mail．iee．af3．cn 差、杂散光、偏振、掩模误差因子、工件台同步运动精度(MSD)等，对不同密度线条光刻性能的影响。结 果表明，考虑Ic制造实际条件的诸多影响因素后，在一定的焦深内获得满足光刻性能要求的图形，必 须重新优化所使用的RET，同时需要光刻设备、掩模、Ic设计、工艺和相关RET等的协同设计研制。 美键词：分辨率增强、ArF光刻、离轴照明、相移掩模、PROLITH 中图分类号：TN350．7 文献标识：A ResolutionEnhancementforArF