散热片和结温半导体闸流管.PPTVIP

微电子器件基础 第 八 章 半导体功率器件 8.1功率双极晶体管 8.1.1垂直式功率晶体管的结构 横截面示意图 相互交叉的晶体管结构 8.1功率双极晶体管 8.1.2 功率晶体管的特性 1．较宽的基区宽度，更小的电流增益。 2．大面积器件，更低的截至频率。 3．集电极最大额定电流远大于于小信号晶体管。 小信号与功率晶体管特性与最大额定值的比较 8.1功率双极晶体管 8.1.2 功率晶体管的特性 功率晶体管的电流特性 8.1功率双极晶体管 8.1.3、达林顿组态 8.2功率半导体MOSFET 8.2.1 功率晶体管的结构 8.2功率半导体MOSFET 8.2.2 功率晶体管的特性 1.更快的开关转换时间。 2.无二次击穿效应。 3.在一个更宽的温度范围内有稳定的增益及响应时间。 8.2功率半导体MOSFET 8.2.2 功率晶体管的特性 8.2功率半导体MOSFET 8.2功率半导体MOSFET 8.2.3 寄生双极晶体管 1.MOSFET的沟道长度视为寄生晶体管的基区宽度，寄生晶体管的电流增益很大。 2.寄生晶体管几乎一直处于关断态，只有在高速开关切换时处于开态。 3。寄生晶体管可能会产生一个很大的开