第十二讲异质结FET——HIGFETHEMTHIGFET——未沟道掺杂.PDF

第十二讲 异质结FET——HIGFET,HEMT l HIGFET——未沟道掺杂HJFET 基本结构 互补HJFET 逻辑 l HEMT 基本结构 基于GaAs 的器件 基于InP 的器件 l 当前的状况 现在的热门领域： 高温FET ：SiC 和GaN HFET GaAs 上的变质InGaAs HEMT 集成情况 数字集成电路 （IC ） 单片微波集成电路 （MMIC） 异质结FET——未掺杂HJFET （HIGFET——异质结绝缘栅极FET ） 结构： ——未掺杂异质结构 ——反向沟道MOSFET 的HFET 类比 无偏压时栅极下的能带： 载流子被栅极从掺杂区域拉进沟道。它们可以是空穴或者电子。 未掺杂HJFET——HIGFET 互补器件：相同的外延结构制成n 沟 道或p 沟道HIGFET l 我们可以使用相同的外延结构 来制造n 沟道和p 沟道FET l 问题： —p 沟道还存在低 空穴迁移率的问题 —源极和漏极电阻 是主要问题 —只适用于增强型 互补 HJFET 逻辑——HFET CMOS n 沟道和p 沟道增强型 HIGFET 反向器 正如CMOS，其吸引人之处在于消除了静态功率，因为其在稳态的时候总是关闭的。 异质结FET——HEMT （也叫做MODFET,TEGFET 和SDFET ） 结构： —未掺杂NBG 层 上的掺杂WBG 层 无偏压栅极下的导带边沿： AlGaAs 中的典型掺杂级为：1018cm-3 沟道中的典型载流子面密度为：1012cm-2 调制掺杂HJFET——HEMT HEMT 的最重要的问题是处理n 掺杂的AlGaAs 栅极 如何理解？考虑将沟道打开： 可以施加在栅极上的最大正向偏压由AlGaAs 的传导开始点决定 适量的正向偏压： n-AlGaAs 耗尽 过大的正向偏压： n-AlGaAs 被填充 HEMT——DX 中心问题 解决AlGaAs 的开启问题： ——最明显的解决方法是增加Al 的浓度以增加这层的能带隙 ——问题是DX 中心出现在大约23%Al 时 （图片已删除） 见：Pearson and Shah 在： Sze, S.M., ed., High Speed Semiconductor Devices New York: Wiley, 1990. DX 中心：与L波段相关联的深能级 HEMT——DX 中心问题（续） 为什么需要考虑DX 中心问题： 它们在低温下产生问题： —Ⅰ‐Ⅴ崩溃 —持续光电导率 Ⅰ‐Ⅴ崩溃： Al碎片必须小于20%（势垒≈0.16eV） 解决方法：不是增加势垒高度，增加铟，使势阱更深。这需要应变层： 假晶 （psudomorphic）HEMT （高电子迁移率晶体管）或PHEMT HEMT——三角掺杂 可以通过不对整个AlGaAs掺 杂，而把掺杂剂置于单层的方法来 减轻并联电导问题。 三角掺杂产生更高的沟道聚集 HEMT——三角掺杂（续） 举例：三角掺