产生注入用离子的设备原理.PPTVIP

学习情景二 常州信息职业技术学院 单元五： 掺杂 子任务2： 离子注入设备 离子注入机结构构造 离子注入机是实现注入掺杂的关键设备，不象扩散技术，每种杂质都必需单独配备一套扩散系统，而一台注入机可进行多种不同离子的注入； 扩散一次可同时对几十乃至几百个硅晶片进行掺杂，而离子注入是一个一个逐点扫描注入的。 离子注入机示意图 离子源 分析磁体 加速管 粒子束 等离子体 工艺腔 吸出组件 扫描盘 （1）离子源 产生注入用离子的设备 原理：利用电子放电使气态离子源材料电离，产生离子浓度很高的等离子体，然后用一负偏压（吸极）将正离子从等离子体中吸出来成为一束离子流。 源材料：选择广泛，可以是任何一种能电离的单质或化合物，优先选用气态源，如砷烷，磷烷等。 （2）质量分析器 从离子源出来的离子束一般包含有几种离子，而需要注入的仅仅是其中一种，因此需要通过分析器将所需要的离子准确地筛选出来。 分析器以磁分析器居多，在分析器中常用600或900扇形磁铁； 原理 基于运动电荷在磁场中所受到的洛仑兹力使粒子运动轨迹发生弯曲的动力学理论，当粒子垂直于磁场方向进入两块扇形磁极所形成的磁场中，可求出运动轨迹弯曲的曲率半径为： 根据上式，可见，在一定的磁场和引入电压下，把出口狭缝放在适当位置，只有质荷比（M/j）符合上述式子的离子才能通过，而其它离子则无法通过，从而达到分选离子的目的。 (3)加速