模拟电子技术基础期末复习总结.docVIP

本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。 其特点： 在外部能量激励下产生本征激发，成对产生电子和空穴； 电子和空穴均为载流子，空穴是一种带正电的粒子； 温度越高，电子和空穴对的数目越多。 两种掺杂半导体： N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。 P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。 二极管 PN结及其单向导电性（正反接法，特点） 二极管的伏安特性（画伏安特性曲线） 二极管主要参数 稳压管 三极管 类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。 三种工作状态：（特例NPN型） 放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（UBE0,UBC0,） 饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（UBE0,UBC0,） 截止状态：发射和集电结均反向偏置；(UBE0,UBC0), 三个工作区： 放大区：晶体管于放大状态，ic=ib有放大作用； 饱和区：晶体管工作于饱和状态，ic主要受的影响uce，无放大作用； 截止区：晶体管工作于截止状态，ic≈0,无放大作用。 基本放大电路的组成原则： 直流偏置：发射结正向偏置，集电极反向偏置； 信号的输入和输出：信号源及负载接入放大电路时，就不影响晶体管原有的直流偏置，仍应保持发射结正偏，集电结反偏。要求隔“直”，又能使信号顺利通过。 放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。 三种基本组态的判别 电路组态 输入信号所接的电极 输出信号所接电极 共射极 基极（b） 集电极（c） 共基极 发射极（e） 集电极（c） 共集电极 基极（b） 发射极（e） 三种基本分析方法： 估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为0.6V或0.7V，锗管（PNP）为0.2V，0.3V），代入方程，求出静态工作点。 图解法： 微变等效电路法： 半导体三极管的偏置与电流分配： 当晶体管工作在放大区时： 电极电位的特点：NPN型的(UCUBUE);PNP型的UCUBUE。基极电位总是居中。 小功率硅管的｜UBE｜约为0.6V或0.7V，小功率的锗管的｜UBE｜约为0.2V或0.3V。 晶体管的直流电流分配关系： IE＝IC+IB 3、 低频率小功率的晶体管的可取为300，室温下的UT≈26mV。 基本放大电路的计算： 放大电路中常用甲种偏置电路的静态计算： 固定偏置 电压负反馈偏置 分压反馈式偏置 电流负反馈式偏置 ⑴ , , ⑵,, ⑶,, ⑷,, 三种基本放大电路的动态计算： 多级放大电路耦合方式及其特点： 阻容耦合：各级静态工作点互相独立，只能放大交流信号。 变压耦合：各级静态工作点互相独立，只能放大交流信号，有笨重的变压器，频率特性较差，但能传输较大功率，还有阻抗变换作用和电隔离功能。 直接耦合：各级静态工作点互相关联，既能放大交流信号，也能放大直流信号和缓变信号。 三种耦合方式的比较 阻容耦合 变压耦合 直接耦合 特点 各级静态工作点互不影响；结构简单。 有阻抗变换作用；各级直流通路互相隔离 能放大缓慢变化的信号或直流成分的变化；适合集成化 存在问题 不能反映直流成分的变化，不适合放大缓慢变化信号；不适于集成化 不能反映直流成分的变化，不适合放大缓慢变化的信号；笨重；不适合集成化 有零点漂移现象；各级静态工作点互相影响 适用场合 分立元交流放大电路 低频功率放大，调谐放大 集成放大电路，直流放大电路 放大电路的频率特性 1、放大电路频率特性用放大电路的幅频特性和相频特性描述。反映放大电路频率特性的性能指标有放大电路的频带宽度 fbw=fH-fL 2、频率失真：当放大电路放大非正弦波信号，且不产生非线性失真时，因为放大电路对不同的频率的信号有不同放大倍数引起的波形失真称为幅频失真；因为放大电路对不同频率的的信号产生的相位移与信号频率不成正比而引起的波形失真称为相频失真。它统称为频率失真，也称为线性失真。 三极管的频率参数有：共射极截止频率、共基极截止频率和特征频率。 模拟集成电路特点： ⑴元器件参数精度较低，误差较大，但误差的一致性好。有利于制成对称性好的电路，如差动放大电路。 ⑵制作电容困难，所以一般采用直接耦合的电路。 ⑶制作管子比制作电阻更容易，因此常用晶体管或应管组成恒流源电路，为各级提供偏置电流或作有源负载。 ⑷集成电路中制造三极管比较方便，常利用发射结 制作变通的二极管，用反偏的集电结作为硅稳压管。 ⑸为了提高性能或获得特殊的电路效果，常采用一些特殊结构，如横向PNP管、双集电极晶体管等。 电路组成：主要组