CSDLa3TaO7薄膜外延生长行为.PDFVIP

第 45卷 第7期 稀有金属材料与工程 、，ol_45．NO．7 2016正 7月 RAREMETALMATERIALSANDENGINEERING -luly2016 CSD．La3TaO7薄膜外延生长行为 王 耀，李成山，于泽铭，冯建情，金利华，王 辉，张平祥 (西北有色金属研究院，陕西 西安 710016) 摘 要：研究 CSD技术制备 La3TaO7(LTO)缓冲层过程中前驱液的热分解行为以及热处理工艺对薄膜取 向生长的影 响，通过选取恰当的LTO前驱液以及快速升温热处理的方法最终获得了良好 C轴织构的LTO薄膜。 关键词：涂层导体；缓冲层 ：化学溶液沉积 中图法分类号：0782．+9 文献标识码 ：A 文章编号：1002—185X(2016)07—1832—04 第 2代高温超导涂层导体相对于 Bi．2223／Ag第 1 研究最多，近年来发展出的La3TaO7(LTO)薄膜 ，虽 代高温超导带材，在 77K下显示出更好的磁场载流性 然与 Ni．w 衬底的晶格失配度高达 9．97％，但是仍然 能，因而成为 目前实用高温超导材料的研究热点。在 可 以在 Ni．W 基带上发生 良好的外延生长，甚至与基 由金属基带／缓冲层 ／超导层 ／保护层组成的涂层导体结 带相比织构度还有所锐化，因此被认为是一种很有前 构中，缓冲层是其中的关键功能层，它主要承担着织 景的氧化物缓冲层材料 。本研究采用新型前驱物利用 构传递和阻隔扩散两大任务_lJ。由于 YBCO 具有强 CSD法在织构的Ni—W 基带上制备了LTO薄膜 ，通过 烈的各向异性，因此为了获得高性能的涂层导体带材， 改变前驱液的配制方式 以及薄膜的热处理工艺条件 ， 首先必须制得具有 良好双轴织构的缓冲层薄膜，从而 研究LTO前驱液蒸干所得凝胶的热分解行为以及LTO 诱导超导层薄膜发生取向生长L6】。同时人们一直在探 薄膜结构、织构和形貌的变化，考察了影响LTO缓冲 索采用一种高度稳定且相对简单的工艺来制备涂层导 层薄膜外延生长的相关因素，并获得了制备具有 良好 体带材，目前国际上主要发展了2大类涂层导体制备 c轴织构LTO缓冲层薄膜的最佳热处理工艺路线 。 技术：离子束辅助沉积 ／物理气相沉积 (IBAD／PVD) 1 实 验 技术 组 合和 轧制 辅助 双轴织 构 ／化 学溶 液沉积 (RABiTS／CSD)技术组合 。IBAD／PVD 技术成为制 整个LTO前驱液的制备过程都是在空气气氛下完 备高性能涂层导体的主要手段，而RABiTs／CSD技术 成的。前驱物分别选择采用异丙醇镧、乙酰丙酮镧、 成为低成本涂层导体的努力方向。然而涂层导体的大 乙醇钽和乙酰丙酮四乙醇钽，2一甲氧基 乙醇、丙酸、 规模应 用必须依赖 于其制备成本 的降低 ，因此 甲醇以及乙酰丙酮作为溶剂，通过加热搅拌制备了不 RABiTS／CSD 技术路线成为制备涂层导体重要的发展 同的LTO前驱液，各前驱液的总阳离子浓度均为 0．4 方 向L7J。对于 RABiTS路线，金属基带本身具有 良好 mol／L。其中各前驱液配制所需前驱物质量、溶剂以及 的双轴织构，那么缓冲层在其上的外延生长则显得尤 前驱液的浓度见表 1。然后将上述各前驱液均 以2500 为重要。因此 ，研究影响缓冲层外延生长的相关因素， r／min的速度分别旋涂 30S于已用丙酮超声清洗过的 对于获得 良好双轴织构的缓冲层薄膜以及提高涂层导 Ni—W 基带上，置于管式炉中 Ar一4％H2还原性气氛下 体性能具有重要意义，同时也对于其它织构衬底上氧 1100℃热处理 30min即制得 LT