光敏二极管光敏晶体管.PPTVIP

* 特：1.什么是“单晶硅”？ 2.什么是“多晶硅”？哪一种的价格贵？原因是什么？ * 提问：怎样分别光电池的正负极引脚？ * 提问：1.当希望光电池的输出与照度成正比时，应把光电池作为：什么“源”来使用？ 2.当被测入射光是脉冲状态时，也可以把光电池作为：什么“源”来使用？ 3.为什么光电池的端电压不会超过0.6V？ 4.当希望将光电池作为简易计数器的电源（1.5V）时，需要将多少片光电池串联？并联起来？ （假设希望在200lx的微弱光照下使用， 光电池的开路电压约为0.4V） * 提问：为什么光电池的输出电压不超过0.6V？ * 提问：1.若行为获得与人眼类似的光谱特性，要选用何种材料制作的光电池？ 2.光电池的负载电阻越小，频率特性的高频效应就越？ * 提问：光电池的频率特性是指对于入射光的光谱频率的特性吗？ * 提问：1.上图电路的输出电压Uo1与光电流IΦ成正比，从而达到“什么与什么”转换的目的？ 2.若希望Uo1为正值，可将光电池的“什么”调换？ 3.光电池用于微光测量时，IΦ可能较小，则可增加一级放大电路，并使用什么元件来微调总的放大倍数？ 4.什么是“虚地”？ 5.为什么在左图的运算放大电路中， IΦ ≈ IRf ？而IAB ≈0？ 6.为什么Uo1 ≈-URf ？ * 提问：1.工业二极管的响应速度比什么二极管的响应速度慢？ 2.光电池的面积越小，响应速度就越？ * 提问：1. APD光敏二极管PN结上施加的较高的工作电压超过“反向击穿电压”会怎样？会烧毁吗？ 2.为什么 APD光敏二极管又称为雪崩光敏二极管？与雪崩有什么光纤？ 3.为什么APD光敏二极管的噪声大？ * 提问：什么叫做“电子倍增”？ * 提问：为什么说：“APD二极管适用于微光测量”？ * 提问：为什么光敏面直径越大，结电容就越大？ * 提问：InGaAs-PIN与InGaAs-APD相比，为什么暗电流相差200倍？ * 提问：如果右下图的特性曲线的间隔是不均匀的，说明什么？ * 提问：如果右图的特性曲线不是直线，而是弯曲的，说明什么？ * 提问：在光敏二极管的透光窗口上配以适当颜色的滤光玻璃，可以实现与人眼基本相同的波长响应吗？ * 提问：1.什么叫做光谱特性紫偏移？什么叫做光谱特性红偏移？ 2.什么叫做光谱的“左移”和“右移”？与宇宙膨胀有什么关系？ * 提问：入射光调制频率（明暗交替频率）越高，对光敏二极管的什么特性要求就越高？希望其数值就越大？还是越小？ * 提问：1.a图的输入是方波，为什么周期T缩短后，b图光敏二极管的输出会变成三角波呢？ 2.为什么周期T缩短后，b图光敏二极管的输出三角波会逐渐变矮呢？而且最后会停止在1/2的VDD上呢？ 3.光敏二极管的频率特性中的“频率”是指什么？是入射光的频率吗？ * 提问：1. a图中，假设Ei=5V，ID=0.1mA，RL=10kΩ求：Uoa=IDRL =？ 3. a图中，假设光敏二极管受到强光照，完全导通，求：Uoa=？ 3. a图中，假设Ei=5V，ID=1.5mA，RL=10kΩ求：Uoa==？ 4. b图中， Ui＜2.5V时，Uob=多少V？ b图中， 当Ui=2.5V时，Uob会是什么情况？ 请上网查阅施密特触发器的特性，回答：如果将b图中的反相器改为施密特反相器，当Ui=2.5V时，Uob又会是什么情况？ * 提问：为什么说：“光敏二极管的正极要接到电源的负极？而光敏二极管的负极要接到电源的正极”？ * 提问：1.为什么说上图中的发射结是正偏的？ 2.为什么入射光要照射在集电结呢？照射在发射结为什么就不行？ 3.上图中的集电结的面积大还是发射结的面积大？ * 提问：1.假设光敏三极管属于NPN型。集电极（C）接到电源的正极，那么集电结是正偏还是反偏？ 2.为什么要将入射光照射到集电结？ 3.光敏达林顿晶体管由两个三极管复合在一起，有什么好处？有什么坏处？ * 提问：1.为什么不一定要将光敏晶体管的基极引出来？导致只有两个电极了？ 2.如果光敏晶体管只有两个电极，长的电极是什么极？短的电极是什么极？ * 提问：1.什么是伏安特性？ 2.从图8-15中可以看出，光敏晶体管的工作电压（ UCEo ）一般应大于多少V？ 当光敏晶体管的UCE大于某极限值时，光电流陡然上升，此时的电压称为什么穿电压？ 3.在无光照的情况下，流过集电极的ICE0（最低下的那一根曲线）为光敏晶体管的什么电流 ？ * 提问：什么是三极管的电流增益？也就是说，为什么三极管有电流放大作用？ * 提问：1.为什么工业光敏晶体管的响应时间比工业二极管慢很多？ 2.光照跳变，引起电流跳变光敏电阻的响应速度变慢的原因是什么？ * 提问：1. 光电特性曲线越陡，光敏晶体管的灵敏度就越？ 2，黄色的直线很直，说明什么