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氟化物溶液腐蚀后硅表面形态的STM与XPS研究
第 42 卷 第 5 期 ( ) Vol. 42 No. 5
厦门大学学报 自然科学版
2003 年 9 月 Journal of Xiamen University (Natural Science) Sep. 2003
文章编号 (2003)
氟化物溶液腐蚀后硅表面形态的
STM 与 XPS 研究
1 ,2 ,3 1 2 3
李 静 ,吴孙桃 ,叶建辉 ,L I S F Y
( 1. 厦门大学萨本栋微机电研究中心 ,福建 厦门 361005 ;
2. 新加坡国立大学材料与工程研究所 ,
3. 新加坡国立大学化学系 ,新加坡 119206)
( ) ( ) ( )
摘要 : 利用扫描隧道显微技术 STM 和 X射线光电子能谱 XPS 技术 ,研究了 Si 111 在几种不同比例的 NH F
4
HCl 溶液中被腐蚀后的表面形态及洁净度. 通过分析表面的 STM 图像与 XPS 谱图 ,表明在较高 p H 值的 NH FHCl
4
( )
溶液中被腐蚀的 Si 111 表面粗糙度较小 ,且表面洁净度及化学稳定性较好.
( )
关键词 : Si 111 表面 ;腐蚀 ;STM ;XPS
中图分类号: TN 304 ; TN 301. 1 文献标识码 :A
硅表面的湿法腐蚀一直是半导体工艺中的一个
研究热点[1～7 ] . 随着半导体工艺线宽的不断缩小 , 1 试验方法
湿法腐蚀后硅表面的平整度和洁净度对于器件性能
试验中所用到的样品为 n型磷扩散 CZ
有至关重要的影响[2 ] . 迄今为止 ,所有的湿法腐蚀
( ) Ω (
Si 111 硅片 , 电阻率为 0. 1 ～10 ·cm 购自 Vir
都是以传统的 RCA ( Radio Corporation of American)
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