液相外延生长GaAs微探尖的质量改进中国显微图像网.PDFVIP

中国科技论文在线 液相外延生长GaAs 微探尖的质量改进1 许育波，梁秀萍，曲光伟，胡礼中 大连理工大学物理与光电工程学院，辽宁 大连（116023 ） E-mail:xyb_yuan@ 摘 要：本文对比了两种在选择性液相外延生长GaAs 微探尖结束后使生长液与衬底脱离的 方法：平推法和旋转石墨舟法。利用扫描电子显微镜对两种方法得到的GaAs 微探尖表面形 貌进行了表征。结果表明，与平推法相比，通过旋转石墨舟法制得的GaAs 微探尖表面残留 的生长液体积大大减小，从而大大改善了GaAs 微探尖的质量。 关键词： GaAs 微探尖；扫描近场光学显微镜；生长液；液相外延 中图分类号：TN305 1 引言 21 世纪是高度信息化的时代，随着信息需求量的日益增长和光电子器件尺寸的日益缩 小，高密度信息存储[1-2]受到了越来越多的关注。为了提高信息存储的密度，研究者们提出 了各种各样的存储技术。扫描近场光学显微术（SNOM）就是高密度信息存储研究中的一个 有力工具，它突破了传统光学显微镜由于光的衍射效应产生的分辨率限制，从而可以实现超 高密度大容量信息存储。 在 SNOM 系统中，探尖是一个重要部件，它的质量和性能直接影响到整个系统的分辨 率，对整个系统起到了举足轻重的作用。我们曾提出过一种选择液相外延(LPE) [3-5]制备 GaAs 微探尖的方法，这种方法生长的 GaAS 微探尖阵列分布周期和尺寸可控，表面平整，质量高， 适于批量生产。但是这种方法存在着一个明显的缺陷，制备的金字塔状 GaAs 微探尖几乎都 有一个锥面上残留有生长液，从而影响了微探尖的形貌和性能。针对此问题，本文提出一种 改善 GaAs 微探尖表面质量的生长液脱片方法。 2 实验 整个实验分为四部分：掩膜的制备；液相外延生长窗口的制备；GaAs 微探尖的外延生 长；生长液与沉底的分离。 实验中采用的是 N 型（001 ）GaAs 衬底。首先在预处理好的 GaAs 衬底上面用电子束蒸 发方法沉积一层厚度约为 30nm 的 SiO2 薄膜。然后采用传统的光刻和湿法刻蚀手段[6-11]在 GaAs 薄膜上面开出边长为 45 μm 的正方形周期性生长窗口，制备过程如图 1 所示。 图1 光刻和腐蚀过程示意图 Figure 1 Schematic drawing of photolithography and etching 启动外延炉，待温度升至 870℃时,将 1g 的生长溶剂Ga(纯度为 99.9999%)装入石墨舟源 槽中,通入氢气(纯度大于 99.9999%,流量为 5mL/s)30 分钟,排除管中的空气。然后将外延炉推 1 本课题得到了国家自然科学基金(No60777009)、科技部重大基础研究前期研究专项 (No.2004CCA03700)和高等学校博士学科点专项科研基金(NO.20060141026)的资助。 - 1 - 中国科技论文在线 至石英反应管上, 对 Ga 在氢气氛下进行高温脱氧 2 个小时，以便除去 Ga 表面的氧化物。 脱氧结束后，将石英管退出炉膛,待温度降到接近室温时,将处理好的衬底片及生长源快速装 入石墨舟相应的衬底片槽和生长源槽中。再次通氢 30 分钟，排除管中的空气后,重新将外延 炉推至反应管上，在氢气氛和 850℃恒温下，熔源 50 分钟。熔源结束后，开始以 1℃/min 的速率降温,降到 815℃时,将衬底推到生长源的下方，使生长源与衬底接触,开始微探尖的生 长，此时降温速率仍保持 1℃/min,生长时间 5 分钟。 生长结束后，将生长液与衬底进行分离。作为对比，我们设计了两种方法：平推法和旋 转石墨舟法。在第一种方法中，在外延生长结束后，通过石英杆将生长液水平推离衬底；第 二种方法，在生长结束时，将石墨舟旋转 180 度，使生长液因重力的作用与衬底脱离。 3 实验结果及分析